IRGP4062DPBF - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IRGP4062DPBF
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 48 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 129 pF
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для IRGP4062DPBF
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IRGP4062DPBF даташит
irgp4062dpbf irgb4062dpbf irgp4062d-epbf.pdf
IRGB4062DPbF IRGP4062DPbF IRGP4062D-EPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C Features VCES = 600V Low VCE (ON) Trench IGBT Technology Low switching losses IC = 24A, TC = 100 C Maximum Junction temperature 175 C 5 S short circuit SOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C Square RBSOA 100% of the parts tested for ILM E
irgp4062d.pdf
IRGB4062DPbF IRGP4062DPbF IRGP4062D-EPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C Features VCES = 600V Low VCE (ON) Trench IGBT Technology Low switching losses IC = 24A, TC = 100 C Maximum Junction temperature 175 C 5 S short circuit SOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C Square RBSOA 100% of the parts tested for ILM E
auirgp4062d.pdf
PD - 96353A AUIRGP4062D AUIRGP4062D-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH C ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE VCES = 600V Features IC = 24A, TC = 100 C Low VCE (on) Trench IGBT Technology Low Switching Losses G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 5 s SCSOA Square RBSOA E VCE(on) typ. = 1.60V 100% of The Parts Tested for ILM Positive VCE (on) Temperature Co
irgp4062d-e.pdf
IRGB4062DPbF IRGP4062DPbF IRGP4062D-EPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C Features VCES = 600V Low VCE (ON) Trench IGBT Technology Low switching losses IC = 24A, TC = 100 C Maximum Junction temperature 175 C 5 S short circuit SOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C Square RBSOA 100% of the parts tested for ILM E
Другие IGBT... IRGS4630DPBF , IRGB4B60KD1PBF , IRGS4B60KD1PBF , IRGSL4B60KD1PBF , IRGIB10B60KD1P , IRGIB15B60KD1P , IRGP20B60PDPBF , IRGP35B60PDPBF , TGAN60N60F2DS , IRGB4062DPBF , IRGP4062D-EPBF , IRGP4063DPBF , IRGP4063PBF , IRGP4066DPBF , IRGP4066D-EPBF , IRGP4068DPBF , IRGP4068D-EPBF .
History: IRGSL4B60KD1PBF | IRGB4062DPBF | IRGP35B60PDPBF
History: IRGSL4B60KD1PBF | IRGB4062DPBF | IRGP35B60PDPBF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c | ksa1220ay | irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a







