IRGP4063DPBF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IRGP4063DPBF
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 330
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 96
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.65
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 40
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 245
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 95
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IRGP4063DPBF
IRGP4063DPBF Datasheet (PDF)
irgp4063dpbf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRGP4063DPbFIRGP4063D-EPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeatures Low VCE (ON) Trench IGBT Technology CVCES = 600V Low switching losses Maximum Junction temperature 175 CIC = 48A, TC = 100C 5 S short circuit SOA Square RBSOAG tSC 5s, TJ(max) = 175C 100% of the parts tested for 4X rated current (ILM)
irgp4063d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD - 97210IRGP4063DPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeatures Low VCE (ON) Trench IGBT Technology CVCES = 600V Low switching losses Maximum Junction temperature 175 CIC = 48A, TC = 100C 5 S short circuit SOA Square RBSOAG tSC 5s, TJ(max) = 175C 100% of the parts tested for 4X rated current (ILM) P
irgp4063d1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRGP4063D1PbF IRGP4063D1-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V CG IC = 60A, TC =100C G tSC 5s, TJ(max) = 175C GE VCE(ON) typ. = 1.65V @ IC = 48A E C C EG G n-channelApplica onsIRGP4063D1PbFIRGP4063D1EPbFIndustrialMotorDriveG C EInvertersUPSGate Collecto
auirgp4063d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AUIRGP4063DAUTOMOTIVE GRADEAUIRGP4063D-EINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECVCES = 600VFeatures Low VCE (ON) Trench IGBT TechnologyIC = 60A, TC = 100C Low switching losses Maximum Junction temperature 175 CG tSC 5s, TJ(max) = 175C 5 S short circuit SOA Square RBSOAEVCE(on) typ. = 1.6V 100% of the
auirgp4063d auirgp4063d-e.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AUIRGP4063DAUTOMOTIVE GRADEAUIRGP4063D-EINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECVCES = 600VFeatures Low VCE (ON) Trench IGBT TechnologyIC = 60A, TC = 100C Low switching losses Maximum Junction temperature 175 CG tSC 5s, TJ(max) = 175C 5 S short circuit SOA Square RBSOAEVCE(on) typ. = 1.6V 100% of the
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
![IRGP4063DPBF](https://alltransistors.com/images/us.png)
![IRGP4063DPBF](https://alltransistors.com/images/es.png)
![IRGP4063DPBF](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ