Справочник IGBT. IRGP4066D-EPBF

 

IRGP4066D-EPBF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRGP4066D-EPBF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 454 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 140 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 245 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 150 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IRGP4066D-EPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  international rectifier
 irgp4066dpbf irgp4066d-epbf.pdf pdf_icon

IRGP4066D-EPBF

PD - 97576IRGP4066DPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHIRGP4066D-EPbFULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeaturesC Low VCE (ON) Trench IGBT TechnologyVCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction Temperature 175 CIC(Nominal) = 75A 5 S short circuit SOA Square RBSOAG tSC 5s, TJ(max) = 175C 100% of The Parts Tested for ILM Positiv

 3.1. Size:331K  international rectifier
 irgp4066d-e.pdf pdf_icon

IRGP4066D-EPBF

PD - 97576IRGP4066DPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHIRGP4066D-EPbFULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeaturesC Low VCE (ON) Trench IGBT TechnologyVCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction Temperature 175 CIC(Nominal) = 75A 5 S short circuit SOA Square RBSOAG tSC 5s, TJ(max) = 175C 100% of The Parts Tested for ILM Positiv

 5.1. Size:331K  international rectifier
 irgp4066d.pdf pdf_icon

IRGP4066D-EPBF

PD - 97576IRGP4066DPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHIRGP4066D-EPbFULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeaturesC Low VCE (ON) Trench IGBT TechnologyVCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction Temperature 175 CIC(Nominal) = 75A 5 S short circuit SOA Square RBSOAG tSC 5s, TJ(max) = 175C 100% of The Parts Tested for ILM Positiv

 5.2. Size:363K  international rectifier
 auirgp4066d1.pdf pdf_icon

IRGP4066D-EPBF

AUIRGP4066D1AUTOMOTIVE GRADE AUIRGP4066D1-EINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHCVCES = 600VULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeaturesIC(Nominal) = 75A Low VCE (ON) Trench IGBT Technology Low switching lossesGtSC 5s, TJ(max) = 175C Maximum Junction temperature 175 C 5 S short circuit SOAEVCE(on) typ. = 1.70V Square RBSOAn-channel 100

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: HGTD7N60B3S | FD800R33KF2C-K | SKM150GB174D | CM400DY-24NF | NGD18N45CLBT4G | IKB40N65ES5

 

 
Back to Top

 


 
.