IRGP6690D-EPBF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IRGP6690D-EPBF
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 483 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 140 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 92 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 270 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 140 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IRGP6690D-EPBF
IRGP6690D-EPBF Datasheet (PDF)
irgp6690dpbf irgp6690d-epbf.pdf
IRGP6690DPbF IRGP6690D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C C C IC = 90A, TC =100C tSC 5s, TJ(max) = 175C GE E C G C G EVCE(ON) typ. = 1.65V @ IC = 75A IRGP6690DPbF IRGP6690D-EPbF n-channelTO-247AC TO-247AD Applications G C E Welding Gate Collector Emitter H Bridge Converters Fea
irgp6690d.pdf
IRGP6690DPbF IRGP6690D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C C C IC = 90A, TC =100C tSC 5s, TJ(max) = 175C GE E C G C G EVCE(ON) typ. = 1.65V @ IC = 75A IRGP6690DPbF IRGP6690D-EPbF n-channelTO-247AC TO-247AD Applications G C E Welding Gate Collector Emitter H Bridge Converters Fea
irgp6660d.pdf
IRGP6660DPbF IRGP6660D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C C C IC = 60A, TC =100C tSC 5s, TJ(max) = 175C GE E C G C G EVCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 48A IRGP6660DPbF IRGP6660D-EPbF n-channelTO-247AC TO-247AD Applications G C E Welding Gate Collector Emitter H Bridge Converters Feat
irgp6650d.pdf
IRGP6650DPbF IRGP6650D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C C C IC = 50A, TC =100C E tSC 5s, TJ(max) = 175C GE C G C G EVCE(ON) typ. = 1.65V @ IC = 35A IRGP6650DPbFIRGP6650DEPbFn-channelTO247ACTO247ADApplications G C E Welding Gate Collector Emitter H Bridg
auirgp66524d0.pdf
AUIRGP66524D0 AUIRGF66524D0 AUTOMOTIVE GRADE INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH COOLiRIGBT ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE CVCES = 600V INOMINAL = 24A E Tsc 6s, TJ(MAX) = 175C GC E G C G EVCE(ON) typ. = 1.60V TO-247AC TO-247AD n-channelAUIRGP66524D0 AUIRGF66524D0 Applications G C E Air Conditioning Compressor Gate Collector E
irgp6630d.pdf
IRGP6630DPbF IRGP6630D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C C C IC = 30A, TC =100C E tSC 5s, TJ(max) = 175C GE C G C G EVCE(ON) typ. = 1.65V @ IC = 18A IRGP6630DPbFIRGP6630DEPbFn-channelTO247ACTO247ADApplications G C E Welding Gate Collector Emitter H Bridg
Другие IGBT... IRGP4066D-EPBF , IRGP4068DPBF , IRGP4068D-EPBF , IRGP4069DPBF , IRGP4650DPBF , IRGP4660DPBF , IRGP50B60PD1PBF , IRGP6690DPBF , IRGP4062D , IRGPS46160DPBF , IRGS4640DPBF , IRGSL4640DPBF , IRGB4640DPBF , IRGP4640DPBF , IRGP4640D-EPBF , DGF15N60CTL , DGF15N60CTL0 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2