Справочник IGBT. IRGP6690D-EPBF

 

IRGP6690D-EPBF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRGP6690D-EPBF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 483
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 140
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.65
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 92
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 270
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 140
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IRGP6690D-EPBF

 

 

IRGP6690D-EPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:637K  infineon
irgp6690dpbf irgp6690d-epbf.pdf

IRGP6690D-EPBF
IRGP6690D-EPBF

IRGP6690DPbF IRGP6690D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C C C IC = 90A, TC =100C tSC 5s, TJ(max) = 175C GE E C G C G EVCE(ON) typ. = 1.65V @ IC = 75A IRGP6690DPbF IRGP6690D-EPbF n-channelTO-247AC TO-247AD Applications G C E Welding Gate Collector Emitter H Bridge Converters Fea

 5.1. Size:649K  international rectifier
irgp6690d.pdf

IRGP6690D-EPBF
IRGP6690D-EPBF

IRGP6690DPbF IRGP6690D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C C C IC = 90A, TC =100C tSC 5s, TJ(max) = 175C GE E C G C G EVCE(ON) typ. = 1.65V @ IC = 75A IRGP6690DPbF IRGP6690D-EPbF n-channelTO-247AC TO-247AD Applications G C E Welding Gate Collector Emitter H Bridge Converters Fea

 8.1. Size:682K  international rectifier
irgp6660d.pdf

IRGP6690D-EPBF
IRGP6690D-EPBF

IRGP6660DPbF IRGP6660D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C C C IC = 60A, TC =100C tSC 5s, TJ(max) = 175C GE E C G C G EVCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 48A IRGP6660DPbF IRGP6660D-EPbF n-channelTO-247AC TO-247AD Applications G C E Welding Gate Collector Emitter H Bridge Converters Feat

 8.2. Size:688K  international rectifier
irgp6650d.pdf

IRGP6690D-EPBF
IRGP6690D-EPBF

IRGP6650DPbF IRGP6650D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C C C IC = 50A, TC =100C E tSC 5s, TJ(max) = 175C GE C G C G EVCE(ON) typ. = 1.65V @ IC = 35A IRGP6650DPbFIRGP6650DEPbFn-channelTO247ACTO247ADApplications G C E Welding Gate Collector Emitter H Bridg

 8.3. Size:976K  international rectifier
auirgp66524d0.pdf

IRGP6690D-EPBF
IRGP6690D-EPBF

AUIRGP66524D0 AUIRGF66524D0 AUTOMOTIVE GRADE INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH COOLiRIGBT ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE CVCES = 600V INOMINAL = 24A E Tsc 6s, TJ(MAX) = 175C GC E G C G EVCE(ON) typ. = 1.60V TO-247AC TO-247AD n-channelAUIRGP66524D0 AUIRGF66524D0 Applications G C E Air Conditioning Compressor Gate Collector E

 8.4. Size:699K  international rectifier
irgp6630d.pdf

IRGP6690D-EPBF
IRGP6690D-EPBF

IRGP6630DPbF IRGP6630D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C C C IC = 30A, TC =100C E tSC 5s, TJ(max) = 175C GE C G C G EVCE(ON) typ. = 1.65V @ IC = 18A IRGP6630DPbFIRGP6630DEPbFn-channelTO247ACTO247ADApplications G C E Welding Gate Collector Emitter H Bridg

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , TGPF30N43P , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top