IRGSL4640DPBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRGSL4640DPBF

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 65 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 129 pF

Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 50 nC

Тип корпуса: TO262

 Аналог (замена) для IRGSL4640DPBF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGSL4640DPBF даташит

 ..1. Size:792K  infineon
 irgs4640dpbf irgsl4640dpbf irgb4640dpbf irgp4640dpbf irgp4640d-epbf.pdf pdf_icon

IRGSL4640DPBF

IRGS4640DPbF IRGSL4640DPbF IRGB4640DPbF IRGP4640D(-E)PbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C IC = 40A, TC =100 C E E E E tSC 5 s, TJ(max) = 175 C E G C C C C C G G G G G E IRGP4640D-EPbF VCE(ON) typ. = 1.60V @ IC = 24A IRGS4640DPbF IRGP4640DPbF IRGSL4640DPbF IRGB4640DPbF TO-247AD D2Pak TO-247AC

 4.1. Size:809K  international rectifier
 irgsl4640d.pdf pdf_icon

IRGSL4640DPBF

IRGS4640DPbF IRGSL4640DPbF IRGB4640DPbF IRGP4640D(-E)PbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C IC = 40A, TC =100 C E E E E tSC 5 s, TJ(max) = 175 C E G C C C C C G G G G G E IRGP4640D-EPbF VCE(ON) typ. = 1.60V @ IC = 24A IRGS4640DPbF IRGP4640DPbF IRGSL4640DPbF IRGB4640DPbF TO-247AD D2Pak TO-247AC

 8.1. Size:437K  international rectifier
 irgb4b60kd1pbf irgs4b60kd1pbf irgsl4b60kd1pbf.pdf pdf_icon

IRGSL4640DPBF

PD - 95616A IRGB4B60KD1PbF IRGS4B60KD1PbF IRGSL4B60KD1PbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Features Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. IC = 7.6A, TC=100 C 10 s Short Circuit Capability. G Square RBSOA. tsc > 10 s, TJ=150 C Positive VCE (on) Temperature Coefficient. E Maximum Junction Temperatu

 8.2. Size:442K  international rectifier
 irgsl4b60kd1.pdf pdf_icon

IRGSL4640DPBF

PD - 94607B IRGB4B60KD1 IRGS4B60KD1 IRGSL4B60KD1 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Features Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. IC = 7.6A, TC=100 C 10 s Short Circuit Capability. G Square RBSOA. tsc > 10 s, TJ=150 C Positive VCE (on) Temperature Coefficient. E Maximum Junction Temperature rated

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRGP4069DPBF, IRGP4650DPBF, IRGP4660DPBF, IRGP50B60PD1PBF, IRGP6690DPBF, IRGP6690D-EPBF, IRGPS46160DPBF, IRGS4640DPBF, GT60N321, IRGB4640DPBF, IRGP4640DPBF, IRGP4640D-EPBF, DGF15N60CTL, DGF15N60CTL0, DGP10N60CTL, DGP10N65CTL, DGP15N60CTL