IXGH28N60B Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXGH28N60B
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2(max) V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF
Тип корпуса: TO247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
IXGH28N60B Datasheet (PDF)
ixgh28n60b.pdf

Low VCE(sat) IGBT IXGH 28N60B VCES = 600 VIXGT 28N60B IC25 = 40 AVCE(sat) = 2.0 VSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268(IXGT)VCES TJ = 25C to 150C 600 VGVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VC (TAB)EVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VTO-247 ADIC25 TC = 25C40 A(IXGH)IC90 TC = 90C28 AICM TC = 25C, 1 ms 80 AC (TAB)SSOA VGE = 15 V,
ixgh28n60b3d1.pdf

Advance Technical InformationIXGH28N60B3D1 VCES = 600VPolarHVTM IGBTIC110 = 28A VCE(sat) 1.8V TO-247 (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 V C (TAB)CEIC25 TC = 25C 66 AIC110 TC = 110C 28 AIF110 TC = 110C 10 A
ixgh28n60bd1 ixgt28n60bd1.pdf

Low VCE(sat) IXGH 28N60BD1 VCES = 600 VIGBT with Diode IXGT 28N60BD1 IC25 = 40 AVCE(sat) = 2.0 VPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268(IXGT)VCES TJ = 25C to 150C 600 VGVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VEVGES Continuous 20 VC (TAB)VGEM Transient 30 V TO-247 AD(IXGH)IC25 TC = 25C40 AIC90 TC = 90C28 AICM TC = 25C, 1 ms 8
ixgh28n60bd1.pdf

Low VCE(sat) IXGH 28N60BD1 VCES = 600 VIGBT with Diode IXGT 28N60BD1 IC25 = 40 AVCE(sat) = 2.0 VCombi PackSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268(IXGT)VCES TJ = 25C to 150C 600 VGVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VC (TAB)EVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 V TO-247 AD(IXGH)IC25 TC = 25C40 AIC90 TC = 90C28 AICM TC = 25C, 1 ms 80 A
Другие IGBT... IXGH25N100 , IXGH25N100A , IXGH25N100AU1 , IXGH25N100U1 , IXGH25N120 , IXGH28N30 , IXGH28N30A , IXGH28N30B , SGT40N60FD2PN , IXGH32N60AS , IXGH28N90B , IXGH30N30 , IXGH30N30S , IXGH30N60B , IXGH30N60BD1 , IXGH30N60BU1 , IXGH31N60 .
History: APT75GP120JDQ3 | STGW40H120F2 | IXBF50N360 | MM40G120L | CRG08T60A93L | NCE25TD120W
History: APT75GP120JDQ3 | STGW40H120F2 | IXBF50N360 | MM40G120L | CRG08T60A93L | NCE25TD120W



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485