IRGP4640D-EPBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRGP4640D-EPBF  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 65 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 129 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IRGP4640D-EPBF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGP4640D-EPBF даташит

 ..1. Size:792K  infineon
irgs4640dpbf irgsl4640dpbf irgb4640dpbf irgp4640dpbf irgp4640d-epbf.pdfpdf_icon

IRGP4640D-EPBF

IRGS4640DPbF IRGSL4640DPbF IRGB4640DPbF IRGP4640D(-E)PbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C IC = 40A, TC =100 C E E E E tSC 5 s, TJ(max) = 175 C E G C C C C C G G G G G E IRGP4640D-EPbF VCE(ON) typ. = 1.60V @ IC = 24A IRGS4640DPbF IRGP4640DPbF IRGSL4640DPbF IRGB4640DPbF TO-247AD D2Pak TO-247AC

 5.1. Size:809K  international rectifier
irgp4640d.pdfpdf_icon

IRGP4640D-EPBF

IRGS4640DPbF IRGSL4640DPbF IRGB4640DPbF IRGP4640D(-E)PbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C IC = 40A, TC =100 C E E E E tSC 5 s, TJ(max) = 175 C E G C C C C C G G G G G E IRGP4640D-EPbF VCE(ON) typ. = 1.60V @ IC = 24A IRGS4640DPbF IRGP4640DPbF IRGSL4640DPbF IRGB4640DPbF TO-247AD D2Pak TO-247AC

 6.1. Size:427K  international rectifier
irgp4640.pdfpdf_icon

IRGP4640D-EPBF

IRGP4640PbF IRGP4640-EPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR VCES = 600V C C C IC = 40A, TC = 100 C tSC 5 s, TJ(max) = 175 C G E E C C G E G VCE(on) typ. = 1.60V @ IC = 24A n-channel TO-247AC TO-247AD IRGP4640PbF IRGP4640-EP GC E Applications Gate Collector Emitter Inverters UPS Welding Features Benefits High efficiency in a wide range of applications

 8.1. Size:347K  international rectifier
irgp4650d.pdfpdf_icon

IRGP4640D-EPBF

IRGP4650DPbF IRGP4650D-EPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE VCES = 600V C C C IC = 50A, TC = 100 C tSC 5 s, TJ(max) = 175 C G E E C C G G VCE(on) typ. = 1.60V @ IC = 35A E TO-247AC TO-247AD n-channel IRGP4650DPbF IRGP4650D-EP Applications GC E Industrial Motor Drive Gate Collector Emitter Inverters UPS Weldi

Другие IGBT... IRGP50B60PD1PBF, IRGP6690DPBF, IRGP6690D-EPBF, IRGPS46160DPBF, IRGS4640DPBF, IRGSL4640DPBF, IRGB4640DPBF, IRGP4640DPBF, IKW40N65WR5, DGF15N60CTL, DGF15N60CTL0, DGP10N60CTL, DGP10N65CTL, DGP15N60CTL, DGP15N65CTL, DGW10N120CTL, DGW15N120CTL