Справочник IGBT. DGP10N65CTL

 

DGP10N65CTL Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DGP10N65CTL
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 56 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 52 nC
   Тип корпуса: TO220
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

DGP10N65CTL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:223K  cn yangzhou yangjie elec
 dgp10n65ctl.pdf pdf_icon

DGP10N65CTL

RoHS DGP10N65CTL COMPLIANT IGBT Descrete V 650 V CEI 10 A CV I = A 1.65 V CE(SAT) C 10 Applications Soft switchingapplications Circuit Airconditioning Motor driveinverter Features High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient High ruggedness,

 7.1. Size:263K  cn yangzhou yangjie elec
 dgp10n60ctl.pdf pdf_icon

DGP10N65CTL

RoHS DGP10N60CTL COMPLIANT IGBT Descrete V 600 V CEI 10 A CV I = A 1.65 V CE(SAT) C 10 Applications Soft switchingapplications Circuit Airconditioning Motor driveinverter Features High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient High ruggedness,

Другие IGBT... IRGS4640DPBF , IRGSL4640DPBF , IRGB4640DPBF , IRGP4640DPBF , IRGP4640D-EPBF , DGF15N60CTL , DGF15N60CTL0 , DGP10N60CTL , IRG4PH50UD , DGP15N60CTL , DGP15N65CTL , DGW10N120CTL , DGW15N120CTL , DGW15N65CTL , DGW20N60CTL , DGW20N65CTL , DGW25N120CTL .

History: IXGT15N120C | MUBW50-12A8

 

 
Back to Top

 


 
.