DGW75N65CTL1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: DGW75N65CTL1  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 395 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 85 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 91 nS

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для DGW75N65CTL1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DGW75N65CTL1 даташит

 ..1. Size:630K  cn yangzhou yangjie elec
 dgw75n65ctl1.pdf pdf_icon

DGW75N65CTL1

RoHS DGW75N65CTL1 COMPLIANT IGBT Discrete V 650 V CE I 75 A C V CE(SAT) 1.65 V I = A C 75 Applications High frequency switching application Resonant converters Uninterruptible power supply Circuit Welding converters Features High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175 Pos

Другие IGBT... DGW40N120CTL, DGW40N65BTH, DGW40N65CTH, DGW40N65CTL, DGW50N65BTH, DGW50N65CTH, DGW50N65CTL1, DGW60N65BTH, FGH40N60SFD, ATGH40N120F2DR, TGAF40N60F2D, TGAN15N120FDR, TGAN15S135FD, TGAN20N135F3D, TGAN20N150FD, TGAN20S135FD, TGAN20S150FD