DGW75N65CTL1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: DGW75N65CTL1

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 395

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 85

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.95

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.85

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175

Время нарастания типовое (tr), nS: 91

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 580

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для DGW75N65CTL1

DGW75N65CTL1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:630K  cn yangzhou yangjie elec
 dgw75n65ctl1.pdf

RoHS DGW75N65CTL1 COMPLIANT IGBT Discrete V 650 V CEI 75 A CVCE(SAT) 1.65 V I = AC 75 Applications High frequency switching application Resonant converters Uninterruptible power supply Circuit Welding converters Features High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175 Pos

Другие IGBT... DGW40N120CTL , DGW40N65BTH , DGW40N65CTH , DGW40N65CTL , DGW50N65BTH , DGW50N65CTH , DGW50N65CTL1 , DGW60N65BTH , IRG7R313U , ATGH40N120F2DR , TGAF40N60F2D , TGAN15N120FDR , TGAN15S135FD , TGAN20N135F3D , TGAN20N150FD , TGAN20S135FD , TGAN20S150FD .