Справочник IGBT. DGW75N65CTL1

 

DGW75N65CTL1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DGW75N65CTL1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 395 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 85 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 91 nS
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для DGW75N65CTL1

 

 

DGW75N65CTL1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:630K  cn yangzhou yangjie elec
 dgw75n65ctl1.pdf

DGW75N65CTL1 DGW75N65CTL1

RoHS DGW75N65CTL1 COMPLIANT IGBT Discrete V 650 V CEI 75 A CVCE(SAT) 1.65 V I = AC 75 Applications High frequency switching application Resonant converters Uninterruptible power supply Circuit Welding converters Features High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175 Pos

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top