TGAN40N120F2DW Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: TGAN40N120F2DW
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 103 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 223 nC
Тип корпуса: TO3PN
- подбор IGBT транзистора по параметрам
TGAN40N120F2DW Datasheet (PDF)
tgan40n120f2dw.pdf

TGAN40N120F2DWField Stop Trench IGBTFeatures 1200V Field Stop Trench Technology Low Switching Loss for a Wide Temperature Range Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation RoHS Compliant JEDEC QualificationECGApplicationsWelder, UPS, Inverter, SolarDevice Package Marking RemarkTGAN40N120F2DW TO-3PN TGAN40N120F2DW RoHSAbsolute Maximu
tgan40n120f2d.pdf

TGAN40N120F2D Field Stop Trench IGBT Features 1200V Field Stop Trench Technology Low Switching Loss for a Wide Temperature Range Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation RoHS Compliant JEDEC Qualification E C G Applications UPS, Welder, Inverter, Solar Device Package Marking Remark TGAN40N120F2D TO-3PN TGAN40N120F2D RoHS A
tgan40n120fdr.pdf

TGAN40N120FDRField Stop Trench IGBTFeatures 1200V Field Stop Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation Short Circuit Withstanding Time 5s RoHS Compliant JEDEC QualificationECGApplicationsUPS, Welder, Inverter, SolarDevice Package Marking RemarkTGAN40N120FDR TO-3P
tgan40n135fd.pdf

TGAN40N135FD Field Stop Trench IGBTFeatures 1350V Field Stop Trench IGBT Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation 175 Operating Temperature RoHS Compliant JEDEC QualificationEApplicationsC Induction Heating G Inverterized microwave ovens Soft Switching Applicat
Другие IGBT... TGAN20S135FD , TGAN20S150FD , TGAN25N120FDR , TGAN30N135FD1 , TGAN30S135FD , TGAN30S160FD , TGAN40N110FD , TGAN40N120F2D , FGH60N60SFD , TGAN40N120FDR , TGAN40N135FD , TGAN40N60F2D , TGAN40N60F2DS , TGAN40N65F2DR , TGAN40N65F2DS , TGAN40N90FD , TGAN40S135FD .
History: SGM50HF12A1TFD
History: SGM50HF12A1TFD



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
ac128 datasheet | 2n5496 | 2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a