TGAN80N60F2DS - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: TGAN80N60F2DS

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 481

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 160

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.75

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7.5

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150

Время нарастания типовое (tr), nS: 70

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 225

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 220

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для TGAN80N60F2DS

TGAN80N60F2DS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:969K  trinnotech
 tgan80n60f2ds.pdf

TGAN80N60F2DSField Stop Trench IGBTFeatures 600V Field Stop Trench IGBT Technology Low Switching Loss for a Wide Temperature Range Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation RoHS Compliant JEDEC QualificationECGApplicationsUPS, Welder, Inverter, SolarDevice Package Marking RemarkTGAN80N60F2DS TO-3PN TGAN80N60F2DS RoHSAbsolute Maxim

 6.1. Size:984K  trinnotech
 tgan80n65f2ds.pdf

TGAN80N65F2DSField Stop Trench IGBTFeatures 650V Field Stop Trench Technology Low Switching Loss for a Wide Temperature Range Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation RoHS Compliant JEDEC Qualification 175 Operating TemperatureECGApplicationsUPS, Inverter, Solar, WelderDevice Package Marking RemarkTGAN80N65F2DS TO-3PN TGAN8

Другие IGBT... TGAN40N65F2DS , TGAN40N90FD , TGAN40S135FD , TGAN40S160FD , TGAN50N90FD , TGAN60N60F2DS , TGAN60N65F2DR , TGAN60N65F2DS , HCKW60N65CH2A , TGAN80N65F2DS , TGH40N120F2DR , TGH40N135FD , TGH40N60F2D , TGH40N65F2DR , TGH40N65F2DS , TGH60N65F2DR , TGH60N65F2DS .