TGAN80N60F2DS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: TGAN80N60F2DS  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 481 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 160 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 225 pF

Тип корпуса: TO3PN

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для TGAN80N60F2DS

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TGAN80N60F2DS даташит

 ..1. Size:969K  trinnotech
 tgan80n60f2ds.pdf pdf_icon

TGAN80N60F2DS

TGAN80N60F2DS Field Stop Trench IGBT Features 600V Field Stop Trench IGBT Technology Low Switching Loss for a Wide Temperature Range Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation RoHS Compliant JEDEC Qualification E C G Applications UPS, Welder, Inverter, Solar Device Package Marking Remark TGAN80N60F2DS TO-3PN TGAN80N60F2DS RoHS Absolute Maxim

 6.1. Size:984K  trinnotech
 tgan80n65f2ds.pdf pdf_icon

TGAN80N60F2DS

TGAN80N65F2DS Field Stop Trench IGBT Features 650V Field Stop Trench Technology Low Switching Loss for a Wide Temperature Range Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation RoHS Compliant JEDEC Qualification 175 Operating Temperature E C G Applications UPS, Inverter, Solar, Welder Device Package Marking Remark TGAN80N65F2DS TO-3PN TGAN8

Другие IGBT... TGAN40N65F2DS, TGAN40N90FD, TGAN40S135FD, TGAN40S160FD, TGAN50N90FD, TGAN60N60F2DS, TGAN60N65F2DR, TGAN60N65F2DS, RJH3047, TGAN80N65F2DS, TGH40N120F2DR, TGH40N135FD, TGH40N60F2D, TGH40N65F2DR, TGH40N65F2DS, TGH60N65F2DR, TGH60N65F2DS