Справочник IGBT. HCKD5N65BM2

 

HCKD5N65BM2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HCKD5N65BM2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K5M652
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 69
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 10
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.45
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.8
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 15
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 26.1
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 12.5
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для HCKD5N65BM2

 

 

HCKD5N65BM2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1380K  cn vgsemi
 hckd5n65bm2.pdf

HCKD5N65BM2 HCKD5N65BM2

HCKD5N65BM2@Trench-FS Cool-Watt IGBTHCKD5N65BM2 is a 650V5A IGBT discrete with high speed soft switching of TrenchField stop technology.The product with a anti-parallel diode,has the characteristics of lowV ,high junction temperature and strong robustness. It is very suitable for products withcesatmotor and fans driver. Features CoolWatt@ Trench-FS technology

 6.1. Size:1381K  cn vgsemi
 hckd5n65am2.pdf

HCKD5N65BM2 HCKD5N65BM2

HCKD5N65AM2@Trench-FS Cool-Watt IGBTHCKD5N65AM2 is a 650V5A IGBT discrete with high speed soft switching of TrenchField stop technology.The product with a anti-parallel diode,has the characteristics of lowV ,high junction temperature and strong robustness. It is very suitable for products withcesatmotor and fans driver. Features CoolWatt@ Trench-FS technology

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top