HCKD5N65BM2 - аналоги и описание IGBT

 

HCKD5N65BM2 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: HCKD5N65BM2

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 26.1 pF

Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для HCKD5N65BM2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HCKD5N65BM2 даташит

 ..1. Size:1380K  cn vgsemi
 hckd5n65bm2.pdf pdf_icon

HCKD5N65BM2

HCKD5N65BM2 @ Trench-FS Cool-Watt IGBT HCKD5N65BM2 is a 650V5A IGBT discrete with high speed soft switching of Trench Field stop technology.The product with a anti-parallel diode,has the characteristics of low V ,high junction temperature and strong robustness. It is very suitable for products with cesat motor and fans driver. Features CoolWatt@ Trench-FS technology

 6.1. Size:1381K  cn vgsemi
 hckd5n65am2.pdf pdf_icon

HCKD5N65BM2

HCKD5N65AM2 @ Trench-FS Cool-Watt IGBT HCKD5N65AM2 is a 650V5A IGBT discrete with high speed soft switching of Trench Field stop technology.The product with a anti-parallel diode,has the characteristics of low V ,high junction temperature and strong robustness. It is very suitable for products with cesat motor and fans driver. Features CoolWatt@ Trench-FS technology

Другие IGBT... TGH40N120F2DR , TGH40N135FD , TGH40N60F2D , TGH40N65F2DR , TGH40N65F2DS , TGH60N65F2DR , TGH60N65F2DS , HCKD5N65AM2 , GT45F122 , HCKW25N120H2 , HCKW40N120BH1 , HCKW40N120CS2 , HCKW40N120H1 , MSG06T65FLD , MSG100D350FH , MSG100T100FLN , MSG100T100FQW .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.