Справочник IGBT. HCKD5N65BM2

 

HCKD5N65BM2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HCKD5N65BM2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K5M652
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.8 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 26.1 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 12.5 nC
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для HCKD5N65BM2

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HCKD5N65BM2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1380K  cn vgsemi
 hckd5n65bm2.pdf pdf_icon

HCKD5N65BM2

HCKD5N65BM2@Trench-FS Cool-Watt IGBTHCKD5N65BM2 is a 650V5A IGBT discrete with high speed soft switching of TrenchField stop technology.The product with a anti-parallel diode,has the characteristics of lowV ,high junction temperature and strong robustness. It is very suitable for products withcesatmotor and fans driver. Features CoolWatt@ Trench-FS technology

 6.1. Size:1381K  cn vgsemi
 hckd5n65am2.pdf pdf_icon

HCKD5N65BM2

HCKD5N65AM2@Trench-FS Cool-Watt IGBTHCKD5N65AM2 is a 650V5A IGBT discrete with high speed soft switching of TrenchField stop technology.The product with a anti-parallel diode,has the characteristics of lowV ,high junction temperature and strong robustness. It is very suitable for products withcesatmotor and fans driver. Features CoolWatt@ Trench-FS technology

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


 
.