Справочник IGBT. IXGH30N60BU1

 

IXGH30N60BU1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGH30N60BU1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 240 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 110 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH30N60BU1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  ixys
ixgh30n60bu1.pdfpdf_icon

IXGH30N60BU1

HiPerFASTTM IGBT IXGH 30N60BU1 VCES = 600 VIXGT 30N60BU1 IC25 = 60 Awith DiodeVCE(sat) = 1.8 VCombi Packtfi = 100 nsTO-268(IXGT)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsEVCES TJ = 25C to 150C 600 VC (TAB)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VTO-247 ADVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C60 AC (TAB)IC110 TC = 110C30 AGICM

 4.1. Size:576K  ixys
ixgh30n60b2.pdfpdf_icon

IXGH30N60BU1

Advance Technical DataVCES = 600 VIXGH 30N60B2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 70 AIXGT 30N60B2VCE(sat)

 4.2. Size:506K  ixys
ixgh30n60b2d1.pdfpdf_icon

IXGH30N60BU1

Advance Technical DataVCES = 600 VHiPerFASTTM IGBT IXGH 30N60B2D1IC25 = 70 AIXGT 30N60B2D1VCE(sat)

 4.3. Size:578K  ixys
ixgh30n60b2 ixgt30n60b2.pdfpdf_icon

IXGH30N60BU1

Advance Technical DataVCES = 600 VIXGH 30N60B2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 70 AIXGT 30N60B2VCE(sat)

Другие IGBT... IXGH28N30B , IXGH28N60B , IXGH32N60AS , IXGH28N90B , IXGH30N30 , IXGH30N30S , IXGH30N60B , IXGH30N60BD1 , JT075N065WED , IXGH31N60 , IXGH31N60D1 , IXGH32N50B , IXGH32N50BU1 , IXGH32N60A , IXGH32N60AU1 , IXGH32N60B , IXGH32N60BD1 .

 

 
Back to Top

 


 
.