MSG100D350FH Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MSG100D350FH
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 162 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 190 pF
Тип корпуса: TO247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
MSG100D350FH Datasheet (PDF)
msg100d350fh msg100d350fhs.pdf

MSG100D350FH/FHSFeatures Low gate charge Trench FS Technology Saturation voltage:Vce(sat),typ=2.0,Ic=100Aand Tc=25 RoHS ProductApplications UPS General purpose invertersAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 100CCollector Current ICT =100
msg100t120fqw.pdf

MSG100T120FQWFeatures High efficiency in hard switchingAnd resonant topologies 10sec short circuit withstandTime at Tvj=175C Low Gate Charge QG Very soft,fast recovery fullCurrent anti-parallel diode Maximum junction temperatureT =175CvjmaxApplications UPS Charger Energy Storage Three-level Solar String InverterAbsolute Ratings(
msg100t100fln msg100t100fqw.pdf

MSG100T100FLN/QWFeature Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V (sat), typ=1.85V@ Ic=CE100A and TC=25 ROHS productApplications UPS Solar inverterMaximum RatingsParameter Symbol Rating UnitCollector-emitter voltage V 1000 VCETc=25 200 A*DC collector current, limited by T Ivjmax CTc=100 100 APulsed collector curr
msg100n350fh.pdf

MSG100N350FHFeatures High Speed switching Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 2.2V @ IC = 100 A Built-in Fast Recovery diode RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 100CCollector Current ICT =100 50 ACPulsed Colle
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: IRG4MC40U | MMG150CE065PD6TC
History: IRG4MC40U | MMG150CE065PD6TC



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844