MSG100T100FLN Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MSG100T100FLN
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 790 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 173 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 305 pF
Тип корпуса: TO247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
MSG100T100FLN Datasheet (PDF)
msg100t100fln msg100t100fqw.pdf

MSG100T100FLN/QWFeature Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V (sat), typ=1.85V@ Ic=CE100A and TC=25 ROHS productApplications UPS Solar inverterMaximum RatingsParameter Symbol Rating UnitCollector-emitter voltage V 1000 VCETc=25 200 A*DC collector current, limited by T Ivjmax CTc=100 100 APulsed collector curr
msg100t120fqw.pdf

MSG100T120FQWFeatures High efficiency in hard switchingAnd resonant topologies 10sec short circuit withstandTime at Tvj=175C Low Gate Charge QG Very soft,fast recovery fullCurrent anti-parallel diode Maximum junction temperatureT =175CvjmaxApplications UPS Charger Energy Storage Three-level Solar String InverterAbsolute Ratings(
msg100t65hlb3 msg100t65hlc1.pdf

MSG100T65HLB3/C1Features Very Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.65V @ IC = 100 A Maximum Junction Temperature: TJ = 175C Positive Temperature Co-Efficient Tight Parameter Distribution High Input ImpedanceApplications Traction Inverter for HEV/EV Auxiliary DC/AC Converter Motor Drives Other Power-Train ApplicationsRequiring High Power Swit
msg100d350fh msg100d350fhs.pdf

MSG100D350FH/FHSFeatures Low gate charge Trench FS Technology Saturation voltage:Vce(sat),typ=2.0,Ic=100Aand Tc=25 RoHS ProductApplications UPS General purpose invertersAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 100CCollector Current ICT =100
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: SKM100GB176D | MMG100HB120H6HN | APT30GP60BDF1 | IXXN200N60B3H1 | IXGH20N100A3 | FF300R06KE3 | IXYX140N90C3
History: SKM100GB176D | MMG100HB120H6HN | APT30GP60BDF1 | IXXN200N60B3H1 | IXGH20N100A3 | FF300R06KE3 | IXYX140N90C3



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327