Справочник IGBT. MSG50N350HLC0

 

MSG50N350HLC0 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MSG50N350HLC0
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 302 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 350 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 93 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2188 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MSG50N350HLC0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:5258K  cn maspower
 msg50n350hlc0.pdf pdf_icon

MSG50N350HLC0

MSG50N350HLC0Features High Current Capability Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.55 V @ IC = 50 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 350CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 100CCollector Current ICT =100 50 ACPulsed Collecto

 5.1. Size:6593K  1
 msg50n350fh.pdf pdf_icon

MSG50N350HLC0

MSG50N350FHFeatures High Current Capability Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.30 V @ IC = 50 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 100CCollector Current ICT =100 50 ACPulsed Collector

 5.2. Size:6559K  cn maspower
 msg50n350fqc.pdf pdf_icon

MSG50N350HLC0

MSG50N350FQCFeatures High Current Capability Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.30 V @ IC = 50 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 100CCollector Current ICT =100 50 ACPulsed Collector

 5.3. Size:6593K  cn maspower
 msg50n350fh.pdf pdf_icon

MSG50N350HLC0

MSG50N350FHFeatures High Current Capability Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.30 V @ IC = 50 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 100CCollector Current ICT =100 50 ACPulsed Collector

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IXBT42N170 | SKM50GB12V | AOK40B120H1 | AP26G40GEO-HF | MMG200S060B6TC | APT25GP90BDF1 | IRGIB15B60KD1P

 

 
Back to Top

 


 
.