MSG50N350HLC0 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: MSG50N350HLC0
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 302 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 350 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 93 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2188 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для MSG50N350HLC0
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
MSG50N350HLC0 даташит
msg50n350hlc0.pdf
MSG50N350HLC0 Features High Current Capability Low Saturation Voltage VCE(sat) = 1.55 V @ IC = 50 A High Input Impedance RoHS Complaint Applications PDP TV Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Collector to Emitter Voltage V 350 CES V Gate to Emitter Voltage V 30 GES T =25 100 C Collector Current I C T =100 50 A C Pulsed Collecto
msg50n350fh.pdf
MSG50N350FH Features High Current Capability Low Saturation Voltage VCE(sat) = 1.30 V @ IC = 50 A High Input Impedance RoHS Complaint Applications PDP TV Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Collector to Emitter Voltage V 330 CES V Gate to Emitter Voltage V 30 GES T =25 100 C Collector Current I C T =100 50 A C Pulsed Collector
msg50n350fqc.pdf
MSG50N350FQC Features High Current Capability Low Saturation Voltage VCE(sat) = 1.30 V @ IC = 50 A High Input Impedance RoHS Complaint Applications PDP TV Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Collector to Emitter Voltage V 330 CES V Gate to Emitter Voltage V 30 GES T =25 100 C Collector Current I C T =100 50 A C Pulsed Collector
msg50n350fh.pdf
MSG50N350FH Features High Current Capability Low Saturation Voltage VCE(sat) = 1.30 V @ IC = 50 A High Input Impedance RoHS Complaint Applications PDP TV Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Collector to Emitter Voltage V 330 CES V Gate to Emitter Voltage V 30 GES T =25 100 C Collector Current I C T =100 50 A C Pulsed Collector
Другие IGBT... MSG40T120FL , MSG40T120FQC , MSG40T65FFC , MSG40T65FH , MSG40T65FHC , MSG40T65HPC0 , MSG40T65HPE0 , MSG50N350FQC , IXRH40N120 , MSG50T120FHW , MSG50T65FHC , MSG50T65FQC , MSG60T120FQW , MSG60T65FHC , MSG60T65HHC0 , MSG75C65HHC0 , MSG75T65HHC0 .
History: SGT40U120FD1P7 | MSG40T65FL | MSG80N350FH | MSG75T65FQC
History: SGT40U120FD1P7 | MSG40T65FL | MSG80N350FH | MSG75T65FQC
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626




