Справочник IGBT. MSG50N350HLC0

 

MSG50N350HLC0 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MSG50N350HLC0
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 302 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 350 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 93 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2188 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для MSG50N350HLC0

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MSG50N350HLC0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:5258K  cn maspower
 msg50n350hlc0.pdf pdf_icon

MSG50N350HLC0

MSG50N350HLC0Features High Current Capability Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.55 V @ IC = 50 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 350CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 100CCollector Current ICT =100 50 ACPulsed Collecto

 5.1. Size:6593K  1
 msg50n350fh.pdf pdf_icon

MSG50N350HLC0

MSG50N350FHFeatures High Current Capability Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.30 V @ IC = 50 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 100CCollector Current ICT =100 50 ACPulsed Collector

 5.2. Size:6559K  cn maspower
 msg50n350fqc.pdf pdf_icon

MSG50N350HLC0

MSG50N350FQCFeatures High Current Capability Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.30 V @ IC = 50 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 100CCollector Current ICT =100 50 ACPulsed Collector

 5.3. Size:6593K  cn maspower
 msg50n350fh.pdf pdf_icon

MSG50N350HLC0

MSG50N350FHFeatures High Current Capability Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.30 V @ IC = 50 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 100CCollector Current ICT =100 50 ACPulsed Collector

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MSG40T120FL , MSG40T120FQC , MSG40T65FFC , MSG40T65FH , MSG40T65FHC , MSG40T65HPC0 , MSG40T65HPE0 , MSG50N350FQC , IRG7S313U , MSG50T120FHW , MSG50T65FHC , MSG50T65FQC , MSG60T120FQW , MSG60T65FHC , MSG60T65HHC0 , MSG75C65HHC0 , MSG75T65HHC0 .

History: GT40RR21 | MSG40T65FHC | SMBH1G300US60 | IRGP4790D | MSG30T65FLT | MSG40T120FL

 

 
Back to Top

 


 
.