MSG50T65FHC - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: MSG50T65FHC
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 437 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 283 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для MSG50T65FHC
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
MSG50T65FHC даташит
msg50t65fhc.pdf
MSG50T65FHC Features Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage V , CE(sat) type =1.6V,I =50A and TC =25 C C RoHS product Applications General purpose inverters UPS Absolute Ratings Tc=25 Parameter Symbol Value Unit Collector-Emmiter Voltage Vces 650 V 100 A Ic T=25 *Collector Current-continuous T=100 50 A Collector Curre
msg50t65fqc.pdf
MSG50T65FQC N-Channel IGBT Features Low gate charge Trench FS Technology Saturation voltage VCE(sat),typ=1.6V @IC=50A and TC=25 Applications General purpose inverter UPS Absolute Ratings(Tc=25 ) Value Parameter Symbol Unit MSG50N65FQC Collector-Emmiter Voltage V 650 V ce I C 100 A *Collector Current-continuous T=25 T=100 50 A I F 100 A Diod
msg50t120fhw.pdf
MSG50T120FHW 1200V Field stop Trench IGBT Features High Speed Switching & Low Power Loss High Input Impedance VCE(sat) = 2V @ IC = 50A High Input Impedance Applications PFC UPS Inverter Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Collector-emitter voltage V 1200 CES V Gate-emitter voltage V 20 GES T =25 C 100 C Collector curre I C T
msg50t120fqw.pdf
MSG50T120FQW Features Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology TJmax =175 C Soft Fast Reverse Recovery Diode Optimized for High Speed Switching 10 s Short Circuit Capability Applications Solar Inverter UPS Absolute Ratings Tc=25 Parameter Symbol Value Unit Collector-Emmiter Voltage V 1200 V CES 100 A Ic T=25 Collector Curren
Другие IGBT... MSG40T65FFC , MSG40T65FH , MSG40T65FHC , MSG40T65HPC0 , MSG40T65HPE0 , MSG50N350FQC , MSG50N350HLC0 , MSG50T120FHW , XNF15N60T , MSG50T65FQC , MSG60T120FQW , MSG60T65FHC , MSG60T65HHC0 , MSG75C65HHC0 , MSG75T65HHC0 , MSG80D60FLC , MSG80N350FH .
History: MSG80N350FH | MSG40T65FL | MSG75T65FQC | MSG50N350HLC0 | NCE100ED75VT | SGT40U120FD1P7
History: MSG80N350FH | MSG40T65FL | MSG75T65FQC | MSG50N350HLC0 | NCE100ED75VT | SGT40U120FD1P7
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a




