MSG80N350FH Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MSG80N350FH
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 380 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 180 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 320 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 162 nC
Тип корпуса: TO247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
MSG80N350FH Datasheet (PDF)
msg80n350fh.pdf

MSG80N350FHFeatures Fast switching Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.61V @ IC = 80 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 180CCollector Current ICT =100 80 ACPulsed Collector Current TC
msg80n350fqc.pdf

MSG80N350FQCFeatures Fast switching Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.61V @ IC = 80 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 180CCollector Current ICT =100 80 ACPulsed Collector Current T
msg80n350fl.pdf

MSG80N350FLFeatures High Current Capability Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.19 V @ IC = 80 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 180CCollector Current ICT =100 80 ACPulsed Collector
msg80n350hlc0.pdf

MSG80N350HLC0Features High Current Capability Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.3V @ IC = 50 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 180CCollector Current ICT =100 80 ACPulsed Collector
Другие IGBT... MSG50T65FHC , MSG50T65FQC , MSG60T120FQW , MSG60T65FHC , MSG60T65HHC0 , MSG75C65HHC0 , MSG75T65HHC0 , MSG80D60FLC , FGPF4533 , MSG80N350FL , MSG80N350FQC , MSG80N350HLC0 , MSG80N60FQC , HGTP12N60C3DR , JNG15T60FS , JNG15N120AI , JNG15N120HS2 .
History: GT8G121LB | IXGT15N120C | MUBW50-12A8
History: GT8G121LB | IXGT15N120C | MUBW50-12A8



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218