MSG80N350FL - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: MSG80N350FL
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 420 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 180 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.19 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 120 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 320 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для MSG80N350FL
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
MSG80N350FL даташит
msg80n350fl.pdf
MSG80N350FL Features High Current Capability Low Saturation Voltage VCE(sat) = 1.19 V @ IC = 80 A High Input Impedance RoHS Complaint Applications PDP TV Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Collector to Emitter Voltage V 330 CES V Gate to Emitter Voltage V 30 GES T =25 180 C Collector Current I C T =100 80 A C Pulsed Collector
msg80n350fqc.pdf
MSG80N350FQC Features Fast switching Low Saturation Voltage VCE(sat) = 1.61V @ IC = 80 A High Input Impedance RoHS Complaint Applications PDP TV Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Collector to Emitter Voltage V 330 CES V Gate to Emitter Voltage V 30 GES T =25 180 C Collector Current I C T =100 80 A C Pulsed Collector Current T
msg80n350fh.pdf
MSG80N350FH Features Fast switching Low Saturation Voltage VCE(sat) = 1.61V @ IC = 80 A High Input Impedance RoHS Complaint Applications PDP TV Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Collector to Emitter Voltage V 330 CES V Gate to Emitter Voltage V 30 GES T =25 180 C Collector Current I C T =100 80 A C Pulsed Collector Current TC
msg80n350hlc0.pdf
MSG80N350HLC0 Features High Current Capability Low Saturation Voltage VCE(sat) = 1.3V @ IC = 50 A High Input Impedance RoHS Complaint Applications PDP TV Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Collector to Emitter Voltage V 330 CES V Gate to Emitter Voltage V 30 GES T =25 180 C Collector Current I C T =100 80 A C Pulsed Collector
Другие IGBT... MSG50T65FQC , MSG60T120FQW , MSG60T65FHC , MSG60T65HHC0 , MSG75C65HHC0 , MSG75T65HHC0 , MSG80D60FLC , MSG80N350FH , IRGP4062D , MSG80N350FQC , MSG80N350HLC0 , MSG80N60FQC , HGTP12N60C3DR , JNG15T60FS , JNG15N120AI , JNG15N120HS2 , JNG15T120AI .
History: MSG25T120FPC | NCE100ED75VT | MSG60T120FQW | MUBW30-12A6 | MSG100T65HLC1 | MSG15T65FLT | MSG75T65HHC0
History: MSG25T120FPC | NCE100ED75VT | MSG60T120FQW | MUBW30-12A6 | MSG100T65HLC1 | MSG15T65FLT | MSG75T65HHC0
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики




