Справочник IGBT. MSG80N350FL

 

MSG80N350FL Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MSG80N350FL
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 420 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 180 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.19 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 120 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 320 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для MSG80N350FL

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MSG80N350FL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:6611K  cn maspower
msg80n350fl.pdfpdf_icon

MSG80N350FL

MSG80N350FLFeatures High Current Capability Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.19 V @ IC = 80 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 180CCollector Current ICT =100 80 ACPulsed Collector

 4.1. Size:6853K  cn maspower
msg80n350fqc.pdfpdf_icon

MSG80N350FL

MSG80N350FQCFeatures Fast switching Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.61V @ IC = 80 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 180CCollector Current ICT =100 80 ACPulsed Collector Current T

 4.2. Size:6662K  cn maspower
msg80n350fh.pdfpdf_icon

MSG80N350FL

MSG80N350FHFeatures Fast switching Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.61V @ IC = 80 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 180CCollector Current ICT =100 80 ACPulsed Collector Current TC

 5.1. Size:5161K  cn maspower
msg80n350hlc0.pdfpdf_icon

MSG80N350FL

MSG80N350HLC0Features High Current Capability Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.3V @ IC = 50 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 180CCollector Current ICT =100 80 ACPulsed Collector

Другие IGBT... MSG50T65FQC , MSG60T120FQW , MSG60T65FHC , MSG60T65HHC0 , MSG75C65HHC0 , MSG75T65HHC0 , MSG80D60FLC , MSG80N350FH , NCE80TD65BT , MSG80N350FQC , MSG80N350HLC0 , MSG80N60FQC , HGTP12N60C3DR , JNG15T60FS , JNG15N120AI , JNG15N120HS2 , JNG15T120AI .

History: MSG40T120FQC | MSG25T120FQC | NCE40ER65BP | MSG20T65HPE0

 

 
Back to Top

 


 
.