MSG80N350FQC Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MSG80N350FQC
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 380 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 180 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.1 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 320 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для MSG80N350FQC
MSG80N350FQC Datasheet (PDF)
msg80n350fqc.pdf

MSG80N350FQCFeatures Fast switching Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.61V @ IC = 80 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 180CCollector Current ICT =100 80 ACPulsed Collector Current T
msg80n350fh.pdf

MSG80N350FHFeatures Fast switching Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.61V @ IC = 80 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 180CCollector Current ICT =100 80 ACPulsed Collector Current TC
msg80n350fl.pdf

MSG80N350FLFeatures High Current Capability Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.19 V @ IC = 80 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 180CCollector Current ICT =100 80 ACPulsed Collector
msg80n350hlc0.pdf

MSG80N350HLC0Features High Current Capability Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.3V @ IC = 50 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 180CCollector Current ICT =100 80 ACPulsed Collector
Другие IGBT... MSG60T120FQW , MSG60T65FHC , MSG60T65HHC0 , MSG75C65HHC0 , MSG75T65HHC0 , MSG80D60FLC , MSG80N350FH , MSG80N350FL , IRGP4063 , MSG80N350HLC0 , MSG80N60FQC , HGTP12N60C3DR , JNG15T60FS , JNG15N120AI , JNG15N120HS2 , JNG15T120AI , JNG15T120FS .
History: MSG40T65FFC
History: MSG40T65FFC



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g