MSG80N350HLC0 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MSG80N350HLC0
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 420
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 330
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 180
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.3
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 120
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 320
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 175
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для MSG80N350HLC0
MSG80N350HLC0 Datasheet (PDF)
msg80n350hlc0.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MSG80N350HLC0Features High Current Capability Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.3V @ IC = 50 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 180CCollector Current ICT =100 80 ACPulsed Collector
msg80n350fqc.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MSG80N350FQCFeatures Fast switching Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.61V @ IC = 80 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 180CCollector Current ICT =100 80 ACPulsed Collector Current T
msg80n350fh.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MSG80N350FHFeatures Fast switching Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.61V @ IC = 80 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 180CCollector Current ICT =100 80 ACPulsed Collector Current TC
msg80n350fl.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MSG80N350FLFeatures High Current Capability Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.19 V @ IC = 80 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 180CCollector Current ICT =100 80 ACPulsed Collector
Другие IGBT... MSG60T65FHC , MSG60T65HHC0 , MSG75C65HHC0 , MSG75T65HHC0 , MSG80D60FLC , MSG80N350FH , MSG80N350FL , MSG80N350FQC , FGPF4533 , MSG80N60FQC , HGTP12N60C3DR , JNG15T60FS , JNG15N120AI , JNG15N120HS2 , JNG15T120AI , JNG15T120FS , JNG15T120HFU1 .
![MSG80N350HLC0](https://alltransistors.com/images/us.png)
![MSG80N350HLC0](https://alltransistors.com/images/es.png)
![MSG80N350HLC0](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ