Справочник IGBT. MSG80N60FQC

 

MSG80N60FQC Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MSG80N60FQC
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 180 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.25 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 175 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для MSG80N60FQC

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MSG80N60FQC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3600K  cn maspower
 msg80n60fqc.pdf pdf_icon

MSG80N60FQC

MSG80N60FQCFeatures Low gate charge Trench-Stop Technology High speed switching Saturation voltage:VCE(sat),typ= 1.25V @IC=80A and TC=25Applications General purpose inverters Induction heating(IH) Welding Converters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol MSG80D60FLC UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 600 V180 AIc T=25Col

 8.1. Size:5161K  cn maspower
 msg80n350hlc0.pdf pdf_icon

MSG80N60FQC

MSG80N350HLC0Features High Current Capability Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.3V @ IC = 50 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 180CCollector Current ICT =100 80 ACPulsed Collector

 8.2. Size:6853K  cn maspower
 msg80n350fqc.pdf pdf_icon

MSG80N60FQC

MSG80N350FQCFeatures Fast switching Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.61V @ IC = 80 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 180CCollector Current ICT =100 80 ACPulsed Collector Current T

 8.3. Size:6662K  cn maspower
 msg80n350fh.pdf pdf_icon

MSG80N60FQC

MSG80N350FHFeatures Fast switching Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.61V @ IC = 80 A High Input Impedance RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 180CCollector Current ICT =100 80 ACPulsed Collector Current TC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MSG60T65HHC0 , MSG75C65HHC0 , MSG75T65HHC0 , MSG80D60FLC , MSG80N350FH , MSG80N350FL , MSG80N350FQC , MSG80N350HLC0 , KGF75N65KDF , HGTP12N60C3DR , JNG15T60FS , JNG15N120AI , JNG15N120HS2 , JNG15T120AI , JNG15T120FS , JNG15T120HFU1 , JNG15T120HFU2 .

History: MSG50N350HLC0 | MSG40T65FHC | IRGP4790D | GT40RR21 | MSG30T65FLT | MSG40T120FL | SMBH1G300US60

 

 
Back to Top

 


 
.