Справочник IGBT. IXGH32N60BU1

 

IXGH32N60BU1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGH32N60BU1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3(max) V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 270 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH32N60BU1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:137K  ixys
 ixgh32n60bu1.pdf pdf_icon

IXGH32N60BU1

IXGH 32N60BU1 VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBTIC25 = 60 Awith DiodeVCE(sat) = 2.3 Vtfi = 80 nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 ADVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 V EG = Gate, C = Collector,IC25 TC = 25C60 AE = Emitter, TAB = CollectorIC90 TC = 90C32 AIC

 4.1. Size:125K  ixys
 ixgh32n60bd1.pdf pdf_icon

IXGH32N60BU1

IXGH 32N60BHiPerFASTTM IGBT VCES = 600 VIXGT 32N60BIC25 = 60 AIXGH 32N60BD1VCE(sat) = 2.3 VIXGT 32N60BD1tfi(typ) = 85 ns(D1)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-268(IXGT)GVCES TJ = 25C to 150C 600 VECVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 V(TAB)VGES Continuous 20 VTO-247 ADVGEM Transient 30 V(IXGH)IC25 TC = 25C60 AIC90 TC = 90C3

 4.2. Size:34K  ixys
 ixgh32n60b.pdf pdf_icon

IXGH32N60BU1

HiPerFASTTM IGBT IXGH32N60B VCES = 600 VIC25 = 60 AVCE(sat) = 2.5 Vtfi = 80 nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 ADVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VVGES Continuous 20 VC (TAB)VGEM Transient 30 VGCIC25 TC = 25C60 A EIC90 TC = 90C32 AG = Gate, C = Collector,ICM TC = 25C, 1 ms 120 AE = Emitter, TAB = Col

 5.1. Size:48K  ixys
 ixgh32n60au1 ixgh32n60au1s.pdf pdf_icon

IXGH32N60BU1

IXGH 32N60AU1IXGH 32N60AU1SVCES = 600 VIC25 = 60 AHiPerFASTTM IGBTwith Diode VCE(sat) = 2.9VCombi Packtfi = 125 nsTO-247 SMD(32N60AU1S)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VGC (TAB)EVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VTO-247 ADVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C60 AIC90 TC = 90C32 AC (TAB)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGH31N60 , IXGH31N60D1 , IXGH32N50B , IXGH32N50BU1 , IXGH32N60A , IXGH32N60AU1 , IXGH32N60B , IXGH32N60BD1 , IKW50N60T , IXGH32N60C , IXGH32N60CD1 , IXGH38N60 , IXGH39N60B , IXGH39N60BD1 , IXGH39N60BS , IXGH40N30 , IXGH40N30S .

History: APT20GT60BRG | APT15GN120BDQ1G | APT20GT60BRDQ1G

 

 
Back to Top

 


 
.