Справочник IGBT. CRG40T60AK3SD

 

CRG40T60AK3SD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CRG40T60AK3SD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G40T60AK3SD
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 280
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.7
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 60
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 170
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 165
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для CRG40T60AK3SD

 

 

CRG40T60AK3SD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:998K  wuxi china
 crg40t60ak3sd.pdf

CRG40T60AK3SD CRG40T60AK3SD

CRG40T60AK3SD General Description VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 40 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 280 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.7 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low sat

 3.1. Size:1182K  crhj
 crg40t60an3hd crg40t60ak3hd.pdf

CRG40T60AK3SD CRG40T60AK3SD

CRG40T60AN3HD, CRG40T60AK3HD CRG40T60AN3HD CRG40T60AK3HD VCES 600 V FS IGBT IC 40 A RoHS Ptot TC=25 336 W VCE(sat) 1.9 V TO-3PN FS

 3.2. Size:1086K  wuxi china
 crg40t60ak3hd.pdf

CRG40T60AK3SD CRG40T60AK3SD

Silicon FS Trench IGBT CRG40T60AK3HD General Description VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 40 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 336 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.9 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturati

 3.3. Size:1116K  wuxi china
 crg40t60ak3h.pdf

CRG40T60AK3SD CRG40T60AK3SD

Silicon FS Trench IGBT CRG40T60AK3H General Description VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 40 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 280 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.9 V performances. RoHS Compliant. TO- 247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturati

Другие IGBT... CRG15T60A83L , CRG15T60A93L , CRG15T60A94S , CRG15T60A84S , CRG25T120BNR3S , CRG25T135BKR3S , CRG30T60AK3HD , CRG40T60AK3H , GT60N321 , CRG50T60AK3HD , CRG60T60AK3H , CRG60T60AK3SD , SRE100N065FSU , SRE100N065FSU2D6 , SRE100N065FSUD6 , SRE100N065FSUD8 , SRE100N120FSUDA .

 

 
Back to Top