SRE75N065FSU2DH - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SRE75N065FSU2DH
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 375
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 100
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.49
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.8
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 24
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 220
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 88
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SRE75N065FSU2DH
SRE75N065FSU2DH Datasheet (PDF)
sre75n065fsu2dh.pdf
Preliminary Datasheet 75A 650V Trench Fieldstop IGBT with anti-parallel diode SRE75N065FSU2DH General Description Symbol The SRE75N065FSU2DH is a Field Stop Trench IGBT with anti-parallel diode, which offers ultra-low switching losses, high energy efficiency for switching applications such as PFC, Power Supply, Inverter, etc. The SRE7565FSU2DH package is TO-247. Features F
sre75n065fsud6.pdf
Datasheet 75A 650V Trench Fieldstop IGBT with anti-parallel diode SRE75N065FSUD6 General Description Symbol The SRE75N065FSUD6 is a Field Stop Trench IGBT with anti-parallel diode, which offers ultra-low switching losses, high energy efficiency for switching applications such as PFC, Power Supply, Inverter, etc. The SRE75N065FSUD6 package is TO-247. Figure 1 Symbol of SRE75N
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ