SRE75N065FSU2DH - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SRE75N065FSU2DH
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.49 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.8 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 24 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 220 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 88 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SRE75N065FSU2DH
SRE75N065FSU2DH Datasheet (PDF)
sre75n065fsu2dh.pdf
Preliminary Datasheet 75A 650V Trench Fieldstop IGBT with anti-parallel diode SRE75N065FSU2DH General Description Symbol The SRE75N065FSU2DH is a Field Stop Trench IGBT with anti-parallel diode, which offers ultra-low switching losses, high energy efficiency for switching applications such as PFC, Power Supply, Inverter, etc. The SRE7565FSU2DH package is TO-247. Features F
sre75n065fsud6.pdf
Datasheet 75A 650V Trench Fieldstop IGBT with anti-parallel diode SRE75N065FSUD6 General Description Symbol The SRE75N065FSUD6 is a Field Stop Trench IGBT with anti-parallel diode, which offers ultra-low switching losses, high energy efficiency for switching applications such as PFC, Power Supply, Inverter, etc. The SRE75N065FSUD6 package is TO-247. Figure 1 Symbol of SRE75N
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2