DGU4020GR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: DGU4020GR  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 172 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 10 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 3800 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 460 pF

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для DGU4020GR

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DGU4020GR даташит

 ..1. Size:284K  sanken-ele
 dgu4020gr.pdf pdf_icon

DGU4020GR

V = 400 V, I = 20 A BR(CES) C N-channel Ignition IGBT DGU4020GR Data Sheet Description Packages The DGU4020GR is 400 V IGBT with Zener diodes TO252-2L and gate resistors, and achieves an ignition coil drive circuit without an external clamped circuit. The IGBT (4) has low saturation characteristic, and can improve the efficiency of the circuit. Features AEC-Q101 Qualifi

Другие IGBT... IGW40T60, IGW40T60K, IKW75N60TA, IGW40N60TP, IXSM35N100A, IXSM40N60, GT45F122, GT30G131, NGD8201N, GT30F126, GT30F133, GT30F132, HIHS50N65H-SA, HIA75N65H-SA, HIA30N65T-SA, HIW30N65T-SA, HIA40N120T-SA