DGU4020GR Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: DGU4020GR
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 172 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 10 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.1 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 3800 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 460 pF
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для DGU4020GR
DGU4020GR Datasheet (PDF)
dgu4020gr.pdf

V = 400 V, I = 20 A BR(CES) CN-channel Ignition IGBTDGU4020GR Data Sheet Description Packages The DGU4020GR is 400 V IGBT with Zener diodes TO252-2L and gate resistors, and achieves an ignition coil drive circuit without an external clamped circuit. The IGBT (4)has low saturation characteristic, and can improve the efficiency of the circuit. Features AEC-Q101 Qualifi
Другие IGBT... IGW40T60 , IGW40T60K , IKW75N60TA , IGW40N60TP , IXSM35N100A , IXSM40N60 , GT45F122 , GT30G131 , IRG7R313U , GT30F126 , GT30F133 , GT30F132 , HIHS50N65H-SA , HIA75N65H-SA , HIA30N65T-SA , HIW30N65T-SA , HIA40N120T-SA .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor