GT30F132 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: GT30F132  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 360 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для GT30F132

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT30F132 даташит

No data!

Другие IGBT... IGW40N60TP, IXSM35N100A, IXSM40N60, GT45F122, GT30G131, DGU4020GR, GT30F126, GT30F133, RJH3047, HIHS50N65H-SA, HIA75N65H-SA, HIA30N65T-SA, HIW30N65T-SA, HIA40N120T-SA, HIA30N140CIH-DA, HIA50N65T-JA, HIA50N65H-JA