Справочник IGBT. HIA30N140CIH-DA

 

HIA30N140CIH-DA - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HIA30N140CIH-DA
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 300
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1400
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.65
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.2
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 54
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 126
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для HIA30N140CIH-DA

 

 

HIA30N140CIH-DA Datasheet (PDF)

 0.1. Size:490K  semihow
 hia30n140cih-da.pdf

HIA30N140CIH-DA HIA30N140CIH-DA

Aug. 2023HIA30N140CIH-DA1400V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 1400 V Extremely low switching lossIC 30 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.65 V 1400V Breakdown voltageEoff 1.63 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175Package & Internal CircuitApplicationTO-247 SYMBOL

 5.1. Size:412K  semihow
 hia30n140ih-da.pdf

HIA30N140CIH-DA HIA30N140CIH-DA

September 2022HIA30N140IH-DA1400V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 1400 V Extremely low switching lossIC 30 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.50 V 1400V Breakdown voltageEoff 1.41 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175Package & Internal CircuitApplicationTO-247 SY

 8.1. Size:529K  semihow
 hia30n65t-sa.pdf

HIA30N140CIH-DA HIA30N140CIH-DA

Sep 2023HIA30N65T-SA650V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 650 V Extremely low switching lossIC 30 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.45 V Soft Fast Reverse Recovery DiodeEtot 0.698 mJ Short Circuit Withstand Time 5.0 Maximum Junction temperature, TJ(max)=175Package &

 8.2. Size:663K  semihow
 hia30n60bp.pdf

HIA30N140CIH-DA HIA30N140CIH-DA

Dec 2013VCES = 600 VIC = 30 AHIA30N60BP VCE(sat) typ = 2.2 V600V PT IGBTTO-247FEATURES Low VCE(sat) Maximum Junction Temperature 150 GCE Short Circuit Withstand Time 5 Designed for Operation Between 1-20KHz Very tight Parameter Distribution High Ruggedness, Temperature stable behaviorAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Value UnitsVCES Collector-

Другие IGBT... GT30F126 , GT30F133 , GT30F132 , HIHS50N65H-SA , HIA75N65H-SA , HIA30N65T-SA , HIW30N65T-SA , HIA40N120T-SA , TGD30N40P , HIA50N65T-JA , HIA50N65H-JA , HIA50N65T-SA , HIA50N65H-SA , HIA50N65IH-JA , HIA20N140IH-DA , GT30F122 , SG40T120DB .

 

 
Back to Top