HIA50N65T-JA - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги HIA50N65T-JA. Основные параметры


   Наименование: HIA50N65T-JA
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 140 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для HIA50N65T-JA

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HIA50N65T-JA даташит

 ..1. Size:481K  semihow
 hia50n65t-ja.pdf pdf_icon

HIA50N65T-JA

Nov 2022 HIA50N65T-JA 650V N-Channel Trench Field Stop IGBT Features Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value Unit VCES 650 V Extremely low switching loss IC 50 A Excellent stability and uniformity VCE(sat) 1.50 V Soft Fast Reverse Recovery Diode Etot 2.20 mJ Short Circuit Withstand Time 5.0 Maximum Junction temperature, TJ(max)=175 Package &

 4.1. Size:477K  semihow
 hia50n65t-sa.pdf pdf_icon

HIA50N65T-JA

Mar 2023 HIA50N65T-SA 650V N-Channel Trench Field Stop IGBT Features Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value Unit VCES 650 V Extremely low switching loss IC 50 A Excellent stability and uniformity VCE(sat) 1.50 V Soft Fast Reverse Recovery Diode Etot 1.76 mJ Short Circuit Withstand Time 5.0 Maximum Junction temperature, TJ(max)=175 Package &

 6.1. Size:479K  semihow
 hia50n65h-ja.pdf pdf_icon

HIA50N65T-JA

Nov 2022 HIA50N65H-JA 650V N-Channel Trench Field Stop IGBT Features Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value Unit VCES 650 V Extremely low switching loss IC 50 A Excellent stability and uniformity VCE(sat) 1.45 V Soft Fast Reverse Recovery Diode Etot 2.10 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175 Application Package & Internal Circuit Solar

 6.2. Size:472K  semihow
 hia50n65ih-sa.pdf pdf_icon

HIA50N65T-JA

Mar 2023 HIA50N65IH-SA 650V N-Channel Trench Field Stop IGBT Features Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value Unit VCES 650 V Extremely low switching loss IC 50 A Excellent stability and uniformity VCE(sat) 1.35 V Soft Fast Reverse Recovery Diode Etot 1.88 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175 Application Package & Internal Circuit Induc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GT30F133 , GT30F132 , HIHS50N65H-SA , HIA75N65H-SA , HIA30N65T-SA , HIW30N65T-SA , HIA40N120T-SA , HIA30N140CIH-DA , FGPF4633 , HIA50N65H-JA , HIA50N65T-SA , HIA50N65H-SA , HIA50N65IH-JA , HIA20N140IH-DA , GT30F122 , SG40T120DB , SG60T120UDB3 .

History: HIA40N120T-SA

 

 

 


 
↑ Back to Top
.