Справочник IGBT. HIA50N65T-JA

 

HIA50N65T-JA - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HIA50N65T-JA
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 272
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 100
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.5
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 32
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 140
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 105
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для HIA50N65T-JA

 

 

HIA50N65T-JA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:481K  semihow
 hia50n65t-ja.pdf

HIA50N65T-JA HIA50N65T-JA

Nov 2022HIA50N65T-JA650V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 650 V Extremely low switching lossIC 50 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.50 V Soft Fast Reverse Recovery DiodeEtot 2.20 mJ Short Circuit Withstand Time 5.0 Maximum Junction temperature, TJ(max)=175Package &

 4.1. Size:477K  semihow
 hia50n65t-sa.pdf

HIA50N65T-JA HIA50N65T-JA

Mar 2023HIA50N65T-SA650V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 650 V Extremely low switching lossIC 50 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.50 V Soft Fast Reverse Recovery DiodeEtot 1.76 mJ Short Circuit Withstand Time 5.0 Maximum Junction temperature, TJ(max)=175Package &

 6.1. Size:479K  semihow
 hia50n65h-ja.pdf

HIA50N65T-JA HIA50N65T-JA

Nov 2022HIA50N65H-JA650V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 650 V Extremely low switching lossIC 50 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.45 V Soft Fast Reverse Recovery DiodeEtot 2.10 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175ApplicationPackage & Internal Circuit Solar

 6.2. Size:472K  semihow
 hia50n65ih-sa.pdf

HIA50N65T-JA HIA50N65T-JA

Mar 2023HIA50N65IH-SA650V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 650 V Extremely low switching lossIC 50 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.35 V Soft Fast Reverse Recovery DiodeEtot 1.88 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175ApplicationPackage & Internal Circuit Induc

 6.3. Size:475K  semihow
 hia50n65ih-ja.pdf

HIA50N65T-JA HIA50N65T-JA

Nov 2022HIA50N65IH-JA650V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 650 V Extremely low switching lossIC 50 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.35 V Soft Fast Reverse Recovery DiodeEtot 2.00 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175ApplicationPackage & Internal Circuit Induc

 6.4. Size:475K  semihow
 hia50n65h-sa.pdf

HIA50N65T-JA HIA50N65T-JA

Jun 2023HIA50N65H-SA650V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 650 V Extremely low switching lossIC 50 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.45 V Soft Fast Reverse Recovery DiodeEtot 1.60 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175ApplicationPackage & Internal Circuit Solar

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top