HIA50N65T-JA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: HIA50N65T-JA  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 140 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для HIA50N65T-JA

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HIA50N65T-JA даташит

 ..1. Size:481K  semihow
 hia50n65t-ja.pdf pdf_icon

HIA50N65T-JA

Nov 2022 HIA50N65T-JA 650V N-Channel Trench Field Stop IGBT Features Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value Unit VCES 650 V Extremely low switching loss IC 50 A Excellent stability and uniformity VCE(sat) 1.50 V Soft Fast Reverse Recovery Diode Etot 2.20 mJ Short Circuit Withstand Time 5.0 Maximum Junction temperature, TJ(max)=175 Package &

 4.1. Size:477K  semihow
 hia50n65t-sa.pdf pdf_icon

HIA50N65T-JA

Mar 2023 HIA50N65T-SA 650V N-Channel Trench Field Stop IGBT Features Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value Unit VCES 650 V Extremely low switching loss IC 50 A Excellent stability and uniformity VCE(sat) 1.50 V Soft Fast Reverse Recovery Diode Etot 1.76 mJ Short Circuit Withstand Time 5.0 Maximum Junction temperature, TJ(max)=175 Package &

 6.1. Size:479K  semihow
 hia50n65h-ja.pdf pdf_icon

HIA50N65T-JA

Nov 2022 HIA50N65H-JA 650V N-Channel Trench Field Stop IGBT Features Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value Unit VCES 650 V Extremely low switching loss IC 50 A Excellent stability and uniformity VCE(sat) 1.45 V Soft Fast Reverse Recovery Diode Etot 2.10 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175 Application Package & Internal Circuit Solar

 6.2. Size:472K  semihow
 hia50n65ih-sa.pdf pdf_icon

HIA50N65T-JA

Mar 2023 HIA50N65IH-SA 650V N-Channel Trench Field Stop IGBT Features Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value Unit VCES 650 V Extremely low switching loss IC 50 A Excellent stability and uniformity VCE(sat) 1.35 V Soft Fast Reverse Recovery Diode Etot 1.88 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175 Application Package & Internal Circuit Induc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GT30F133, GT30F132, HIHS50N65H-SA, HIA75N65H-SA, HIA30N65T-SA, HIW30N65T-SA, HIA40N120T-SA, HIA30N140CIH-DA, IRGP4063D, HIA50N65H-JA, HIA50N65T-SA, HIA50N65H-SA, HIA50N65IH-JA, HIA20N140IH-DA, GT30F122, SG40T120DB, SG60T120UDB3