SGT60U65FD1PN - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

SGT60U65FD1PN - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SGT60U65FD1PN
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 60U65FD1
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 280
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 120
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 160
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 132
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 210
   Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для SGT60U65FD1PN

SGT60U65FD1PN Datasheet (PDF)

..1. Size:281K 1
sgt60u65fd1pn sgt60u65fd1pt.pdf

SilanMicroelectronicsSGT60U65FD1PN(PT)(P7)_Datasheet 60A, 650V FIELD STOP IGBT DESCRIPTION C2The SGT60U65FD1PN(PT)(P7) field stop IGBT adopts Silan Field Stop 1IV+ technology, features low conduction loss and switching loss, is Gapplicable to UPS, SMPS and PFC fields. FEATURES 3E 60A, 650V, VCE(sat)(typ.)=2.0V@IC=60A Low conduction loss Fast switchin

..2. Size:319K silan
sgt60u65fd1pn sgt60u65fd1pt sgt60u65fd1p7.pdf