SGT60U65FD1PT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SGT60U65FD1PT  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 160 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 132 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SGT60U65FD1PT

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGT60U65FD1PT даташит

 ..1. Size:281K  1
 sgt60u65fd1pn sgt60u65fd1pt.pdf pdf_icon

SGT60U65FD1PT

Silan Microelectronics SGT60U65FD1PN(PT)(P7)_Datasheet 60A, 650V FIELD STOP IGBT DESCRIPTION C 2 The SGT60U65FD1PN(PT)(P7) field stop IGBT adopts Silan Field Stop 1 IV+ technology, features low conduction loss and switching loss, is G applicable to UPS, SMPS and PFC fields. FEATURES 3 E 60A, 650V, VCE(sat)(typ.)=2.0V@IC=60A Low conduction loss Fast switchin

 ..2. Size:319K  silan
 sgt60u65fd1pn sgt60u65fd1pt sgt60u65fd1p7.pdf pdf_icon

SGT60U65FD1PT

 9.1. Size:558K  1
 sgt60t65fd1pn sgt60t65fd1p7 sgt60t65fd1ps sgt60t65fd1pt.pdf pdf_icon

SGT60U65FD1PT

SGT60T65FD1P7/PN/PS/PT 60A 650V C 2 SGT60T65FD1P7/PN/PS/PT Field 1 G Stop UPS SMPS PFC 1 3 2 3 TO-3P E 60A 650V VCE(sat)( )=2.2V@IC=60A

 9.2. Size:326K  silan
 sgt60n60fd1pn sgt60n60fd1p7.pdf pdf_icon

SGT60U65FD1PT

SGT60N60FD1PN/P7 60A 600V C 2 SGT60N60FD1PN/P7 Field Stop 1 G UPS,SMPS PFC 3 E 60A 600V VCE(sat)( )=2.2V@IC=60A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HIA50N65T-SA, HIA50N65H-SA, HIA50N65IH-JA, HIA20N140IH-DA, GT30F122, SG40T120DB, SG60T120UDB3, SGT60U65FD1PN, SGH80N60UFD, OST120N65H4SMF, OST120N65H4UMF, OST120N65H5SMF, OST120N65HEMF, OST15N65DRF, OST15N65FRF, OST15N65KRF, OST15N65PRF