Аналоги SGT60U65FD1PT. Основные параметры
Наименование: SGT60U65FD1PT
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 160 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 132 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SGT60U65FD1PT
SGT60U65FD1PT даташит
sgt60u65fd1pn sgt60u65fd1pt.pdf
Silan Microelectronics SGT60U65FD1PN(PT)(P7)_Datasheet 60A, 650V FIELD STOP IGBT DESCRIPTION C 2 The SGT60U65FD1PN(PT)(P7) field stop IGBT adopts Silan Field Stop 1 IV+ technology, features low conduction loss and switching loss, is G applicable to UPS, SMPS and PFC fields. FEATURES 3 E 60A, 650V, VCE(sat)(typ.)=2.0V@IC=60A Low conduction loss Fast switchin
sgt60t65fd1pn sgt60t65fd1p7 sgt60t65fd1ps sgt60t65fd1pt.pdf
SGT60T65FD1P7/PN/PS/PT 60A 650V C 2 SGT60T65FD1P7/PN/PS/PT Field 1 G Stop UPS SMPS PFC 1 3 2 3 TO-3P E 60A 650V VCE(sat)( )=2.2V@IC=60A
sgt60n60fd1pn sgt60n60fd1p7.pdf
SGT60N60FD1PN/P7 60A 600V C 2 SGT60N60FD1PN/P7 Field Stop 1 G UPS,SMPS PFC 3 E 60A 600V VCE(sat)( )=2.2V@IC=60A
Другие IGBT... HIA50N65T-SA , HIA50N65H-SA , HIA50N65IH-JA , HIA20N140IH-DA , GT30F122 , SG40T120DB , SG60T120UDB3 , SGT60U65FD1PN , SGT60U65FD1PT , OST120N65H4SMF , OST120N65H4UMF , OST120N65H5SMF , OST120N65HEMF , OST15N65DRF , OST15N65FRF , OST15N65KRF , OST15N65PRF .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
d2390 datasheet | 2sa750 replacement | 2sc984 replacement | a1046 transistor | hy19p03 | 2sk2749 | c2577 transistor | k3563 transistor