Справочник IGBT. IXGH50N60A

 

IXGH50N60A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGH50N60A
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 210 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 430 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 200 nC
   Тип корпуса: TO247
 
   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH50N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  ixys
 ixgh50n60a.pdf pdf_icon

IXGH50N60A

IXGH50N60A VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBTIXGH50N60ASIC25 = 75 ASurface MountableVCE(sat) = 2.7 Vtfi = 275 nsTO-247 SMDSymbol Test Conditions Maximum Ratings (50N60AS)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VC (TAB)GVGES Continuous 20 VEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C75 ATO-247 ADIC90 TC = 90C50 A(50N60A)ICM TC = 2

 0.1. Size:64K  ixys
 ixgh50n60as.pdf pdf_icon

IXGH50N60A

IXGH50N60A VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBTIXGH50N60ASIC25 = 75 ASurface MountableVCE(sat) = 2.7 Vtfi = 275 nsTO-247 SMDSymbol Test Conditions Maximum Ratings (50N60AS)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VC (TAB)GVGES Continuous 20 VEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C75 ATO-247 ADIC90 TC = 90C50 A(50N60A)ICM TC = 2

 5.1. Size:196K  ixys
 ixgh50n60c4d1.pdf pdf_icon

IXGH50N60A

VCES = 600VHigh-Gain IGBTs IXGQ50N60C4D1IC110 = 46Aw/ Diode IXGH50N60C4D1 VCE(sat) 2.3V High-Speed PT Trench IGBTsTO-3P (IXGQ)GCESymbol Test Conditions Maximum RatingsTabVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VTO-247 (IXGH)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 90 AIC110 TC = 110

 5.2. Size:218K  ixys
 ixgh50n60b4.pdf pdf_icon

IXGH50N60A

VCES = 600VHigh-Gain IGBTs IXGA50N60B4IC110 = 50AIXGP50N60B4 VCE(sat) 1.8V IXGH50N60B4Low-Vsat PT Trench IGBT TO-263 AA (IXGA)GEC (Tab)TO-220AB (IXGP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VC C (Tab)EIC25 TC = 25C 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGH39N60BD1 , IXGH39N60BS , IXGH40N30 , IXGH40N30S , IXGH40N30A , IXGH40N30B , IXGH40N30BD1 , IXGH41N60 , FGL60N100BNTD , IXGH50N60B , IXGH60N60 , IXGK120N60B , IXGK50N50BU1 , IXGK50N60AU1 , IXGK50N60B , IXGK50N60BD1 , IXGK50N60BU1 .

 

 
Back to Top

 


 
.