IXGH50N60A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IXGH50N60A  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 210 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 430 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IXGH50N60A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH50N60A даташит

 ..1. Size:64K  ixys
 ixgh50n60a.pdf pdf_icon

IXGH50N60A

IXGH50N60A VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGH50N60AS IC25 = 75 A Surface Mountable VCE(sat) = 2.7 V tfi = 275 ns TO-247 SMD Symbol Test Conditions Maximum Ratings (50N60AS) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V C (TAB) G VGES Continuous 20 V E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C75 A TO-247 AD IC90 TC = 90 C50 A (50N60A) ICM TC = 2

 0.1. Size:64K  ixys
 ixgh50n60as.pdf pdf_icon

IXGH50N60A

IXGH50N60A VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGH50N60AS IC25 = 75 A Surface Mountable VCE(sat) = 2.7 V tfi = 275 ns TO-247 SMD Symbol Test Conditions Maximum Ratings (50N60AS) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V C (TAB) G VGES Continuous 20 V E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C75 A TO-247 AD IC90 TC = 90 C50 A (50N60A) ICM TC = 2

 5.1. Size:196K  ixys
 ixgh50n60c4d1.pdf pdf_icon

IXGH50N60A

 5.2. Size:218K  ixys
 ixgh50n60b4.pdf pdf_icon

IXGH50N60A

VCES = 600V High-Gain IGBTs IXGA50N60B4 IC110 = 50A IXGP50N60B4 VCE(sat) 1.8V IXGH50N60B4 Low-Vsat PT Trench IGBT TO-263 AA (IXGA) G E C (Tab) TO-220AB (IXGP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V C C (Tab) E IC25 TC = 25 C 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGH39N60BD1, IXGH39N60BS, IXGH40N30, IXGH40N30S, IXGH40N30A, IXGH40N30B, IXGH40N30BD1, IXGH41N60, XNF15N60T, IXGH50N60B, IXGH60N60, IXGK120N60B, IXGK50N50BU1, IXGK50N60AU1, IXGK50N60B, IXGK50N60BD1, IXGK50N60BU1