IXGH60N60 datasheet, аналоги, основные параметры

IXGH60N60 - это высокопроизводительный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для промышленного применения, требующего быстрого переключения и высокой эффективности. Рассчитанный на напряжение 600В и 75А при температуре 25°С, он сочетает в себе низкие потери проводимости МОП-транзистора с высокой пропускной способностью биполярного транзистора по току. Благодаря прочной конструкции затвора и оптимизированным тепловым характеристикам IXGH60N60 обеспечивает надежную работу в инверторах, электроприводах и источниках питания. Его высокая скорость переключения сводит к минимуму потери энергии, а прочная конструкция обеспечивает высокую устойчивость к короткому замыканию и отличную лавинообразную работу, что делает его подходящим для сложных применений в силовой электронике.

Наименование: IXGH60N60  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 290 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IXGH60N60

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH60N60 даташит

 ..1. Size:94K  ixys
 ixgh60n60.pdf pdf_icon

IXGH60N60

VCES = 600 V Ultra-Low VCE(sat) IGBT IXGH 60N60 IC25 = 75 A IXGK 60N60 VCE(sat) = 1.7 V IXGT 60N60 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V G C VGES Continuous 20 V E VGEM Transient 30 V TO-268 IC25 TC = 25 C, limited by leads 75 A (IXGT) IC90 TC = 90 C60 A G E ICM TC = 25 C,

 ..2. Size:95K  ixys
 ixgh60n60 ixgk60n60 ixgt60n60.pdf pdf_icon

IXGH60N60

VCES = 600 V Ultra-Low VCE(sat) IGBT IXGH 60N60 IC25 = 75 A IXGK 60N60 VCE(sat) = 1.7 V IXGT 60N60 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V G C VGES Continuous 20 V E VGEM Transient 30 V TO-268 IC25 TC = 25 C, limited by leads 75 A (IXGT) IC90 TC = 90 C60 A G E ICM TC = 25 C,

 0.1. Size:583K  ixys
 ixgh60n60c2 ixgt60n60c2.pdf pdf_icon

IXGH60N60

Advance Technical Data VCES = 600 V IXGH 60N60C2 HiPerFASTTM IGBT IC25 = 75 A C2-Class High Speed IGBTs IXGT 60N60C2 VCE(sat) = 2.5 V tfi typ = 35 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V C (TAB) VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E TO-268 IC25 TC = 25 C (limited by

 0.2. Size:163K  ixys
 ixgh60n60c3.pdf pdf_icon

IXGH60N60

GenX3TM 600V VCES = 600V IXGH60N60C3 IGBT IC110 = 60A VCE(sat) 2.5V tfi (typ) = 50ns High Speed PT IGBT for 40-100kHz Switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V G VGES Continuous 20 V C Tab E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C (Limited by Leads) 75 A G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGH40N30, IXGH40N30S, IXGH40N30A, IXGH40N30B, IXGH40N30BD1, IXGH41N60, IXGH50N60A, IXGH50N60B, IKW50N60H3, IXGK120N60B, IXGK50N50BU1, IXGK50N60AU1, IXGK50N60B, IXGK50N60BD1, IXGK50N60BU1, IXGK60N60, IXGK80N60A