Справочник IGBT. OST75N120HM2F

 

OST75N120HM2F Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: OST75N120HM2F
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 536 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 119 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 186 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

OST75N120HM2F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:793K  oriental semi
 ost75n120hm2f.pdf pdf_icon

OST75N120HM2F

OST75N120HM2F Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST75N120HM2F uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CEperformance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM techn

 8.1. Size:741K  oriental semi
 ost75n65hnf.pdf pdf_icon

OST75N120HM2F

OST75N65HNF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST75N65HNF uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CEperformance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technolog

 8.2. Size:777K  oriental semi
 ost75n65hswf.pdf pdf_icon

OST75N120HM2F

 8.3. Size:741K  oriental semi
 ost75n65htnf.pdf pdf_icon

OST75N120HM2F

OST75N65HTNF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST75N65HTNF uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching performance. CEThis device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technol

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IXYH75N65C3 | FD400R33KF2C | IKQ100N60TA | SIW50N65G2H2G | IXGC16N60B2 | MG17200D-BN4MM | APT30GT60BRD

 

 
Back to Top

 


 
.