OST75N65HLMF - аналоги и описание IGBT

 

OST75N65HLMF - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: OST75N65HLMF

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 536 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 105 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 303 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для OST75N65HLMF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

OST75N65HLMF даташит

 ..1. Size:777K  oriental semi
 ost75n65hlmf.pdf pdf_icon

OST75N65HLMF

OST75N65HLMF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST75N65HLMF uses advanced Oriental-Semi s patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching performance. CE This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technol

 5.1. Size:741K  oriental semi
 ost75n65hnf.pdf pdf_icon

OST75N65HLMF

OST75N65HNF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST75N65HNF uses advanced Oriental-Semi s patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CE performance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technolog

 5.2. Size:777K  oriental semi
 ost75n65hswf.pdf pdf_icon

OST75N65HLMF

 5.3. Size:741K  oriental semi
 ost75n65htnf.pdf pdf_icon

OST75N65HLMF

OST75N65HTNF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST75N65HTNF uses advanced Oriental-Semi s patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching performance. CE This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technol

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OST60N65HMF , OST60N65HSMF , OST60N65HSXF , OST60N65HSZF , OST60N65HXF , OST75N120HM2F , OST75N65HEM2F , OST75N65HEMF , GT30F132 , OST75N65HM2F , OST75N65HMF , OST75N65HNF , OST75N65HSMF , OST75N65HSNF , OST75N65HSVF , OST75N65HSXF , OST75N65HSZF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.