IXGK50N60AU1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXGK50N60AU1
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7(max) V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 210 nS
Тип корпуса: TO264
- подбор IGBT транзистора по параметрам
IXGK50N60AU1 Datasheet (PDF)
ixgk50n60au1.pdf

HiPerFASTTM IXGK 50N60AU1 VCES = 600 VIGBT with Diode IC25 = 75 AVCE(sat) = 2.7 VCombi Pack tfi = 275 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AAVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C, limited by leads 75 AG = Gate, C = Collector,IC90 TC = 90C50 AE = Emitter,
ixgk50n60a2d1.pdf

Advance Technical DataIXGK50N60A2D1 VCES = 600 VIGBT with DiodeIXGX 50N60A2D1IC25 = 75 AVCE(sat) = 1.4 VLow Saturation VoltageSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264(IXGK)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 V (TAB)GCVGES Continuous 20 VEVGEM Transient 30 VPLUS247IC25 TC = 25C (limited by leads) 75 A (IXGX)I
ixgk50n60a2u1 ixgx50n60a2u1.pdf

Advance Technical InformationIXGK 50N60A2U1 VCES = 600 VIGBT with DiodeIXGX 50N60A2U1IC25 = 75 AVCE(sat) = 1.6 VLow Saturation Voltage IGBTwith Low Forward Drop DiodePreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264(IXGK)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 V (TAB)GCEVGES Continuous 20 VVGEM Transient
ixgk50n60c2d1 ixgx50n60c2d1.pdf

IXGK50N60C2D1 VCES = 600 VHiPerFASTTMIXGX 50N60C2D1IC25 = 75 AIGBT with DiodeVCE(sat) = 2.5 VC2-Class High Speed IGBTstfi(typ) = 48 nsPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA(IXGK)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 V (TAB)GCEVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VPLUS247IC25 TC = 25
Другие IGBT... IXGH40N30B , IXGH40N30BD1 , IXGH41N60 , IXGH50N60A , IXGH50N60B , IXGH60N60 , IXGK120N60B , IXGK50N50BU1 , GT30J122 , IXGK50N60B , IXGK50N60BD1 , IXGK50N60BU1 , IXGK60N60 , IXGK80N60A , IXGK80N60AU1 , IXGM17N100 , IXGM17N100A .
History: IRG4PSH71KD | IRG4ZC70UD | TGAN25N120ND
History: IRG4PSH71KD | IRG4ZC70UD | TGAN25N120ND



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor