Справочник IGBT. IXGK50N60BU1

 

IXGK50N60BU1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGK50N60BU1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 200 nC
   Тип корпуса: TO264
 
   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGK50N60BU1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  ixys
 ixgk50n50bu1 ixgk50n60bu1.pdf pdf_icon

IXGK50N60BU1

VCES IC25 VCE(sat) tfiHiPerFASTTMIXGK 50N50BU1500 V 75 A 2.3 V 100nsIGBT with Diode600 V 75 A 2.5 V 120nsIXGK 50N60BU1Combi PackPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA50N50 50N60VCES TJ = 25 C to 150 C 500 600 VVCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 500 600 VGVGES Continuous 20 20 VCEVGEM Transient 30 30 VIC25 TC = 25 C75 75 AG = Ga

 4.1. Size:494K  ixys
 ixgk50n60b2d1.pdf pdf_icon

IXGK50N60BU1

Advance Technical DataIXGK50N60B2D1 VCES = 600 VHiPerFASTTMIXGX 50N60B2D1IC25 = 75 AIGBT with DiodeVCE(sat) = 2.0 VB2-Class High Speed IGBTstfi(typ) = 65 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264(IXGK)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 V (TAB)GCVGES Continuous 20 VEVGEM Transient 30 VPLUS247IC25 TC = 25C

 4.2. Size:627K  ixys
 ixgk50n60b2d1 ixgx50n60b2d1.pdf pdf_icon

IXGK50N60BU1

Advance Technical DataIXGK50N60B2D1 VCES = 600 VHiPerFASTTMIXGX 50N60B2D1IC25 = 75 AIGBT with DiodeVCE(sat) = 2.0 VB2-Class High Speed IGBTstfi(typ) = 65 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264(IXGK)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 V (TAB)GCVGES Continuous 20 VEVGEM Transient 30 VPLUS247IC25 TC = 25C

 4.3. Size:181K  ixys
 ixgk50n60b ixgt50n60b ixgj50n60b.pdf pdf_icon

IXGK50N60BU1

IXGH 50N60BHiPerFASTTM IGBT VCES = 600 VIXGK 50N60BIC25 = 75 AIXGT 50N60BVCE(sat) = 2.3 VIXGJ 50N60Btfi(typ) = 120 nsTO-247 AD (IXGH)C C (TAB)Symbol Test Conditions Maximum Ratings EVCES TJ = 25C to 150C 600 VTO-268 (D3) ( IXGT)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VC (TAB)EIC25 TC = 25C75 ATO-268 Le

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGH50N60A , IXGH50N60B , IXGH60N60 , IXGK120N60B , IXGK50N50BU1 , IXGK50N60AU1 , IXGK50N60B , IXGK50N60BD1 , SGT60U65FD1PT , IXGK60N60 , IXGK80N60A , IXGK80N60AU1 , IXGM17N100 , IXGM17N100A , IXGM25N100 , IXGM25N100A , IXGN200N60 .

 

 
Back to Top

 


 
.