Справочник IGBT. IXGK50N60BU1

 

IXGK50N60BU1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGK50N60BU1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 200 nC
   Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для IXGK50N60BU1

 

 

IXGK50N60BU1 Datasheet (PDF)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGH50N60A , IXGH50N60B , IXGH60N60 , IXGK120N60B , IXGK50N50BU1 , IXGK50N60AU1 , IXGK50N60B , IXGK50N60BD1 , FGH75T65UPD , IXGK60N60 , IXGK80N60A , IXGK80N60AU1 , IXGM17N100 , IXGM17N100A , IXGM25N100 , IXGM25N100A , IXGN200N60 .