SGT75T65SDM1P4 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SGT75T65SDM1P4
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 75T65SDM1
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 416
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 150
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.65
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 42
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 300
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 180
   Тип корпуса: TO247-4L

 Аналог (замена) для SGT75T65SDM1P4

 

 

SGT75T65SDM1P4 Datasheet (PDF)

Другие IGBT... SGT40T120SDB4P7 , SGT40U120FD1P7 , SGT50T65SDM1P7 , SGT60N60FD1PS , SGT60N60FD1PT , SGT60U65FD1P7 , SGT70N65FD1P7 , SGT70N65FDM1P7 , IRG4PF50WD , SGT75T65SDM1P7 , SGTP30V60FD2PU , SGTP40V120F2P7 , SGTP40V120FDB2P7 , SGTP40V60FD2PU , SGTP40V60SD2PF , SGTP40V65FDR1P7 , SGTP40V65SDB1P7 .