Справочник IGBT. SGTP40V65FDR1P7

 

SGTP40V65FDR1P7 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGTP40V65FDR1P7
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: P40V65FDR1
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.8 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 38 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 63 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 111 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SGTP40V65FDR1P7

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGTP40V65FDR1P7 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:419K  silan
 sgtp40v65fdr1p7.pdf pdf_icon

SGTP40V65FDR1P7

SGTP40V65FDR1P7 40A650V C2SGTP40V65FDR1P7 1Field Stop 5GUPSSMPS PFC 3E 40A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=40A

 5.1. Size:471K  silan
 sgtp40v65sdb1p7.pdf pdf_icon

SGTP40V65FDR1P7

SGTP40V65SDB1P7 40A650V C 2SGTP40V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 40A650VVCE(sat)( )=1.35V@IC=40A

 6.1. Size:505K  silan
 sgtp40v60sd2pf.pdf pdf_icon

SGTP40V65FDR1P7

SGTP40V60SD2PF 40A600V C 2SGTP40V60SD2PF 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 40A600VVCE(sat)( )=1.35V@IC=40A

 6.2. Size:509K  silan
 sgtp40v60fd2pu.pdf pdf_icon

SGTP40V65FDR1P7

SGTP40V60FD2PU 40A600V C2 1GSGTP40V60FD2PU Field Stop 53UPSSMPS PFC E 40A600VVCE(sat)( )=1.55V@IC=40A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SGT70N65FDM1P7 , SGT75T65SDM1P4 , SGT75T65SDM1P7 , SGTP30V60FD2PU , SGTP40V120F2P7 , SGTP40V120FDB2P7 , SGTP40V60FD2PU , SGTP40V60SD2PF , TGPF30N43P , SGTP40V65SDB1P7 , SGTP50T120FDB4PWA , SGTP50V60FD2PF , SGTP50V60FD2PU , SGTP50V60SD2PF , SGTP50V65FD2PU , SGTP50V65FDB1P7 , SGTP50V65SDB1P7 .

 

 
Back to Top

 


 
.