SGTP40V65FDR1P7 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SGTP40V65FDR1P7
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: P40V65FDR1
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 38 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 63 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 111 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SGTP40V65FDR1P7

 

 

SGTP40V65FDR1P7 Datasheet (PDF)

Другие IGBT... SGT70N65FDM1P7 , SGT75T65SDM1P4 , SGT75T65SDM1P7 , SGTP30V60FD2PU , SGTP40V120F2P7 , SGTP40V120FDB2P7 , SGTP40V60FD2PU , SGTP40V60SD2PF , NCE80TD65BT , SGTP40V65SDB1P7 , SGTP50T120FDB4PWA , SGTP50V60FD2PF , SGTP50V60FD2PU , SGTP50V60SD2PF , SGTP50V65FD2PU , SGTP50V65FDB1P7 , SGTP50V65SDB1P7 .