SGTP50V65UF1P7 аналоги, datasheet, параметры транзистора

SGTP50V65UF1P7 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SGTP50V65UF1P7 📄📄

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 273 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 43 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 63 pF

Тип корпуса: TO247

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SGTP50V65UF1P7

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

..1. Size:425K silan
sgtp50v65uf1p7.pdf pdf_icon

SGTP50V65UF1P7 50A 650V C 2 SGTP50V65UF1P7 1 G Field Stop 5 UPS SMPS PFC 3 E 50A 650V VCE(sat)( )=1.60V@IC=50A

3.1. Size:410K silan
sgtp50v65ufcr3p7.pdf pdf_icon

SGTP50V65UFCR3P7 50A 650V C 2 SGTP50V65UFCR3P7 1 G Field Stop 5 OBC PFC 3 E 50A 650V VCE(sat)( )=1.60V@IC=5

5.1. Size:472K silan
sgtp50v65sdb1p7.pdf pdf_icon

5.2. Size:480K silan
sgtp50v65fdb1p7.pdf pdf_icon