Справочник IGBT. SGTP50V65UF1P7

 

SGTP50V65UF1P7 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGTP50V65UF1P7
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: P50V65UF1
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 273 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 43 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 63 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 131 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SGTP50V65UF1P7

 

 

SGTP50V65UF1P7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:425K  silan
sgtp50v65uf1p7.pdf

SGTP50V65UF1P7
SGTP50V65UF1P7

SGTP50V65UF1P7 50A650V C 2SGTP50V65UF1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.60V@IC=50A

 3.1. Size:410K  silan
sgtp50v65ufcr3p7.pdf

SGTP50V65UF1P7
SGTP50V65UF1P7

SGTP50V65UFCR3P7 50A650V C 2SGTP50V65UFCR3P7 1GField Stop 5OBC PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.60V@IC=5

 5.1. Size:472K  silan
sgtp50v65sdb1p7.pdf

SGTP50V65UF1P7
SGTP50V65UF1P7

SGTP50V65SDB1P7 50A650V C 2SGTP50V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.45V@IC=50A

 5.2. Size:480K  silan
sgtp50v65fdb1p7.pdf

SGTP50V65UF1P7
SGTP50V65UF1P7

SGTP50V65FDB1P7 50A650V C 2SGTP50V65FDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=50A

 5.3. Size:532K  silan
sgtp50v65fd2pu.pdf

SGTP50V65UF1P7
SGTP50V65UF1P7

SGTP50V65FD2PU 50A650V C 2SGTP50V65FD2PU 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=50A

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top