SGTP75V65FDB1P7 - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

SGTP75V65FDB1P7 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SGTP75V65FDB1P7
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: P75V65FDB1
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 395
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 150
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.65
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 4.8
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 44
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 132
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 186
   Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для SGTP75V65FDB1P7