Справочник IGBT. SGTP75V65FDB1P7

 

SGTP75V65FDB1P7 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGTP75V65FDB1P7
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 395 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 44 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 132 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SGTP75V65FDB1P7

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGTP75V65FDB1P7 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:477K  silan
 sgtp75v65fdb1p7.pdf pdf_icon

SGTP75V65FDB1P7

SGTP75V65FDB1P7 75A650V C 2SGTP75V65FDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=75A

 0.2. Size:455K  silan
 sgtp75v65fdb1p4b.pdf pdf_icon

SGTP75V65FDB1P7

SGTP75V65FDB1P4B 75A650V C1SGTP75V65FDB1P4B Field Stop 5 4GUPSSMPS PFC 3 2E 75A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=75A

 5.1. Size:562K  silan
 sgtp75v65sds1p7.pdf pdf_icon

SGTP75V65FDB1P7

SGTP75V65SDS1P7 75A650V C 2SGTP75V65SDS1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.42V@IC=75A

 5.2. Size:461K  silan
 sgtp75v65sdb1p7.pdf pdf_icon

SGTP75V65FDB1P7

SGTP75V65SDB1P7 75A650V C 2SGTP75V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.42V@IC=75A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SGTP50V65SDB1P7 , SGTP50V65UF1P7 , SGTP50V65UFCR3P7 , SGTP5T60SD1DTR , SGTP5T60SD1STR , SGTP75V120FDB2PW , SGTP75V120FDB2PW4 , SGTP75V65FDB1P4B , GT30F132 , SGTP75V65SDB1P7 , SGTP75V65SDS1P7 , SGTQ160V65SDB1APW , SGTQ160V65SDB1APWA , SGTQ200V75SDB1PWA , SGTQ200V75SDB1PWD , SGTQ30NE40I1DTR , SGTQ40T120SDB2P7 .

History: JNG30T60FS

 

 
Back to Top

 


 
.