SGTP75V65FDB1P7 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SGTP75V65FDB1P7  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 395 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 44 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 132 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SGTP75V65FDB1P7

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGTP75V65FDB1P7 даташит

 0.1. Size:477K  silan
 sgtp75v65fdb1p7.pdf pdf_icon

SGTP75V65FDB1P7

 0.2. Size:455K  silan
 sgtp75v65fdb1p4b.pdf pdf_icon

SGTP75V65FDB1P7

SGTP75V65FDB1P4B 75A 650V C 1 SGTP75V65FDB1P4B Field Stop 5 4 G UPS SMPS PFC 3 2 E 75A 650V VCE(sat)( )=1.65V@IC=75A

 5.1. Size:562K  silan
 sgtp75v65sds1p7.pdf pdf_icon

SGTP75V65FDB1P7

 5.2. Size:461K  silan
 sgtp75v65sdb1p7.pdf pdf_icon

SGTP75V65FDB1P7

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SGTP50V65SDB1P7, SGTP50V65UF1P7, SGTP50V65UFCR3P7, SGTP5T60SD1DTR, SGTP5T60SD1STR, SGTP75V120FDB2PW, SGTP75V120FDB2PW4, SGTP75V65FDB1P4B, GT60N321, SGTP75V65SDB1P7, SGTP75V65SDS1P7, SGTQ160V65SDB1APW, SGTQ160V65SDB1APWA, SGTQ200V75SDB1PWA, SGTQ200V75SDB1PWD, SGTQ30NE40I1DTR, SGTQ40T120SDB2P7