Справочник IGBT. SGTP75V65SDB1P7

 

SGTP75V65SDB1P7 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGTP75V65SDB1P7
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 395 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.42 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 39 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 131 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SGTP75V65SDB1P7 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:461K  silan
 sgtp75v65sdb1p7.pdf pdf_icon

SGTP75V65SDB1P7

SGTP75V65SDB1P7 75A650V C 2SGTP75V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.42V@IC=75A

 3.1. Size:562K  silan
 sgtp75v65sds1p7.pdf pdf_icon

SGTP75V65SDB1P7

SGTP75V65SDS1P7 75A650V C 2SGTP75V65SDS1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.42V@IC=75A

 5.1. Size:477K  silan
 sgtp75v65fdb1p7.pdf pdf_icon

SGTP75V65SDB1P7

SGTP75V65FDB1P7 75A650V C 2SGTP75V65FDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=75A

 5.2. Size:455K  silan
 sgtp75v65fdb1p4b.pdf pdf_icon

SGTP75V65SDB1P7

SGTP75V65FDB1P4B 75A650V C1SGTP75V65FDB1P4B Field Stop 5 4GUPSSMPS PFC 3 2E 75A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=75A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: HGTP5N120BND | SKM50GB12V | MMG75W120XT6TC | APTGF75DDA120T | MG17100S-BN4MM | APT25GP90BDF1 | IRGIB15B60KD1P

 

 
Back to Top

 


 
.