SGTP75V65SDB1P7 аналоги, datasheet, параметры транзистора

SGTP75V65SDB1P7 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SGTP75V65SDB1P7 📄📄

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 395 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.42 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 39 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 131 pF

Тип корпуса: TO247

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SGTP75V65SDB1P7

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

0.1. Size:461K silan
sgtp75v65sdb1p7.pdf pdf_icon

3.1. Size:562K silan
sgtp75v65sds1p7.pdf pdf_icon

5.1. Size:477K silan
sgtp75v65fdb1p7.pdf pdf_icon

5.2. Size:455K silan
sgtp75v65fdb1p4b.pdf pdf_icon

SGTP75V65FDB1P4B 75A 650V C 1 SGTP75V65FDB1P4B Field Stop 5 4 G UPS SMPS PFC 3 2 E 75A 650V VCE(sat)( )=1.65V@IC=75A