Справочник IGBT. SGTP75V65SDB1P7

 

SGTP75V65SDB1P7 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGTP75V65SDB1P7
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: P75V65SDB1
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 395 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.42 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 39 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 131 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 184 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SGTP75V65SDB1P7

 

 

SGTP75V65SDB1P7 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:461K  silan
sgtp75v65sdb1p7.pdf

SGTP75V65SDB1P7
SGTP75V65SDB1P7

SGTP75V65SDB1P7 75A650V C 2SGTP75V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.42V@IC=75A

 3.1. Size:562K  silan
sgtp75v65sds1p7.pdf

SGTP75V65SDB1P7
SGTP75V65SDB1P7

SGTP75V65SDS1P7 75A650V C 2SGTP75V65SDS1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.42V@IC=75A

 5.1. Size:477K  silan
sgtp75v65fdb1p7.pdf

SGTP75V65SDB1P7
SGTP75V65SDB1P7

SGTP75V65FDB1P7 75A650V C 2SGTP75V65FDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=75A

 5.2. Size:455K  silan
sgtp75v65fdb1p4b.pdf

SGTP75V65SDB1P7
SGTP75V65SDB1P7

SGTP75V65FDB1P4B 75A650V C1SGTP75V65FDB1P4B Field Stop 5 4GUPSSMPS PFC 3 2E 75A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=75A

Другие IGBT... SGTP50V65UF1P7 , SGTP50V65UFCR3P7 , SGTP5T60SD1DTR , SGTP5T60SD1STR , SGTP75V120FDB2PW , SGTP75V120FDB2PW4 , SGTP75V65FDB1P4B , SGTP75V65FDB1P7 , IKW40N65WR5 , SGTP75V65SDS1P7 , SGTQ160V65SDB1APW , SGTQ160V65SDB1APWA , SGTQ200V75SDB1PWA , SGTQ200V75SDB1PWD , SGTQ30NE40I1DTR , SGTQ40T120SDB2P7 , SGT10U60SDM2D .

 

 
Back to Top