Справочник IGBT. IXGM17N100A

 

IXGM17N100A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGM17N100A
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 34 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4(max) V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 175 pF
   Тип корпуса: TO204
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXGM17N100A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:48K  ixys
 ixgm17n100a.pdf pdf_icon

IXGM17N100A

VCES IC25 VCE(sat)Low VCE(sat) IGBT IXGH/IXGM 17 N100 1000 V 34 A 3.5 VHigh speed IGBT IXGH/IXGM 17 N100A 1000 V 34 A 4.0 VSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 1000 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1000 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C34 AIC90 TC = 90C17 A TO-204 AE (IXGM)ICM TC = 25C

 4.1. Size:48K  ixys
 ixgm17n100.pdf pdf_icon

IXGM17N100A

VCES IC25 VCE(sat)Low VCE(sat) IGBT IXGH/IXGM 17 N100 1000 V 34 A 3.5 VHigh speed IGBT IXGH/IXGM 17 N100A 1000 V 34 A 4.0 VSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 1000 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1000 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C34 AIC90 TC = 90C17 A TO-204 AE (IXGM)ICM TC = 25C

Другие IGBT... IXGK50N60AU1 , IXGK50N60B , IXGK50N60BD1 , IXGK50N60BU1 , IXGK60N60 , IXGK80N60A , IXGK80N60AU1 , IXGM17N100 , IRG4PC40W , IXGM25N100 , IXGM25N100A , IXGN200N60 , IXGN200N60A , IXGN200N60B , IXGN50N60B , IXGN50N60BD2 , IXGN50N60BD3 .

History: IXSQ10N60B2D1 | HGTP12N60C3

 

 
Back to Top

 


 
.