IXGM17N100A - аналоги и описание IGBT

 

IXGM17N100A - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGM17N100A

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 34 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 175 pF

Тип корпуса: TO204

 Аналог (замена) для IXGM17N100A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGM17N100A даташит

 ..1. Size:48K  ixys
 ixgm17n100a.pdf pdf_icon

IXGM17N100A

VCES IC25 VCE(sat) Low VCE(sat) IGBT IXGH/IXGM 17 N100 1000 V 34 A 3.5 V High speed IGBT IXGH/IXGM 17 N100A 1000 V 34 A 4.0 V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C34 A IC90 TC = 90 C17 A TO-204 AE (IXGM) ICM TC = 25 C

 4.1. Size:48K  ixys
 ixgm17n100.pdf pdf_icon

IXGM17N100A

VCES IC25 VCE(sat) Low VCE(sat) IGBT IXGH/IXGM 17 N100 1000 V 34 A 3.5 V High speed IGBT IXGH/IXGM 17 N100A 1000 V 34 A 4.0 V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C34 A IC90 TC = 90 C17 A TO-204 AE (IXGM) ICM TC = 25 C

Другие IGBT... IXGK50N60AU1 , IXGK50N60B , IXGK50N60BD1 , IXGK50N60BU1 , IXGK60N60 , IXGK80N60A , IXGK80N60AU1 , IXGM17N100 , CRG75T65AK5HD , IXGM25N100 , IXGM25N100A , IXGN200N60 , IXGN200N60A , IXGN200N60B , IXGN50N60B , IXGN50N60BD2 , IXGN50N60BD3 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.