Справочник IGBT. SIW30N60G21B

 

SIW30N60G21B - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SIW30N60G21B
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 41 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 82 pF
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SIW30N60G21B

 

 

SIW30N60G21B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1095K  cn super semi
 sif30n60g21b sip30n60g21b siw30n60g21b sib30n60g21b.pdf

SIW30N60G21B SIW30N60G21B

SUPER-SEMISuper Junction Insulated Gate Bipolar Transistor600V Trench and Super Junction IGBTSI*30N60G21BRev. 0.91Jul. 2023www.supersemi.com.cnSIF30N60G21B/SIP30N60G21B/SIW30N60G21B/SIB30N60G21B600V Trench and Super Junction IGBTGeneral DescriptionSuper-Semi Trench and Super Junction IGBTs,VCE 600 Vdesigned according to the super junction (SJ)IC 30 Atechnology. Th

 7.1. Size:1094K  cn super semi
 sif30n65g21f sip30n65g21f siw30n65g21f sib30n65g21f.pdf

SIW30N60G21B SIW30N60G21B

SUPER-SEMISuper Junction Insulated Gate Bipolar Transistor650V Trench and Super Junction IGBTSI*30N65G21FRev. 0.91Jul. 2023www.supersemi.com.cnSIF30N65G21F/SIP30N65G21F/SIW30N65G21F/SIB30N65G21F650V Trench and Super Junction IGBTGeneral DescriptionSuper-Semi Trench and Super Junction IGBTs,VCE 650 Vdesigned according to the super junction (SJ)IC 30 Atechnology. Th

Другие IGBT... SL20T65FL , SL20T65FL1 , SL20T65K1 , SL20T65F1 , SL25T120FL , SL40T65FL1 , SIF30N60G21B , SIP30N60G21B , GT50JR22 , SIB30N60G21B , SIF30N65G21F , SIP30N65G21F , SIW30N65G21F , SIB30N65G21F , GT40T321 , KDG20N120H2 , SKT030N065 .

 

 
Back to Top