SIP30N65G21F - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SIP30N65G21F
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 41 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 82 pF
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SIP30N65G21F
SIP30N65G21F Datasheet (PDF)
sif30n65g21f sip30n65g21f siw30n65g21f sib30n65g21f.pdf
SUPER-SEMISuper Junction Insulated Gate Bipolar Transistor650V Trench and Super Junction IGBTSI*30N65G21FRev. 0.91Jul. 2023www.supersemi.com.cnSIF30N65G21F/SIP30N65G21F/SIW30N65G21F/SIB30N65G21F650V Trench and Super Junction IGBTGeneral DescriptionSuper-Semi Trench and Super Junction IGBTs,VCE 650 Vdesigned according to the super junction (SJ)IC 30 Atechnology. Th
sif30n60g21b sip30n60g21b siw30n60g21b sib30n60g21b.pdf
SUPER-SEMISuper Junction Insulated Gate Bipolar Transistor600V Trench and Super Junction IGBTSI*30N60G21BRev. 0.91Jul. 2023www.supersemi.com.cnSIF30N60G21B/SIP30N60G21B/SIW30N60G21B/SIB30N60G21B600V Trench and Super Junction IGBTGeneral DescriptionSuper-Semi Trench and Super Junction IGBTs,VCE 600 Vdesigned according to the super junction (SJ)IC 30 Atechnology. Th
Другие IGBT... SL20T65F1 , SL25T120FL , SL40T65FL1 , SIF30N60G21B , SIP30N60G21B , SIW30N60G21B , SIB30N60G21B , SIF30N65G21F , MBQ60T65PES , SIW30N65G21F , SIB30N65G21F , GT40T321 , KDG20N120H2 , SKT030N065 , ATT030N065EQ , ATT040K065EQ , ATT040N120EQ .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2