Справочник IGBT. JT010N065SED

 

JT010N065SED Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: JT010N065SED
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 27.4 nC
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для JT010N065SED

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

JT010N065SED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2931K  jilin sino
 jt010n065sed jt010n065ced jt010n065fed jt010n065wed.pdf pdf_icon

JT010N065SED

N N-CHANNEL IGBT RJT010N065SED/CED/FED/WED Package MAIN CHARACTERISTICS I 10 A CBV 650V CESVCESAT-typ 1.5V V =15V GEAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS TO-263 Motor Control FEATURES

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: APT50GP60BG | CM1800HCB-34N | AOK20B65M1 | APT12GT60BRG | IGC114T170S8RM

 

 
Back to Top

 


 
.