Справочник IGBT. JT010N065WED

 

JT010N065WED - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: JT010N065WED
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 166
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 20
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 20
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 60
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 27.4
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для JT010N065WED

 

 

JT010N065WED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2931K  jilin sino
 jt010n065sed jt010n065ced jt010n065fed jt010n065wed.pdf

JT010N065WED JT010N065WED

N N-CHANNEL IGBT RJT010N065SED/CED/FED/WED Package MAIN CHARACTERISTICS I 10 A CBV 650V CESVCESAT-typ 1.5V V =15V GEAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS TO-263 Motor Control FEATURES

Другие IGBT... ATT040K065EQ , ATT040N120EQ , ATT050K065FQC , ATT060U060EQ , ATT075N065EQ , JT010N065SED , JT010N065CED , JT010N065FED , YGW60N65F1A1 , JT015N065SED , JT015N065CED , JT015N120F7PD1E , JT020N065SED , JT020N065CED , JT020N065WED , JT020N065FED , JT020N135WED .

 

 
Back to Top