JT010N065WED - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: JT010N065WED
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для JT010N065WED
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
JT010N065WED даташит
Другие IGBT... ATT040K065EQ , ATT040N120EQ , ATT050K065FQC , ATT060U060EQ , ATT075N065EQ , JT010N065SED , JT010N065CED , JT010N065FED , SGT50T65FD1PN , JT015N065SED , JT015N065CED , JT015N120F7PD1E , JT020N065SED , JT020N065CED , JT020N065WED , JT020N065FED , JT020N135WED .
History: ISL9V3040S3ST-F085C | NCE40TD60BP | SME6G30US60 | IXXH50N60B3 | MPBW30N120E | BG150B12UY3-I | BG150B12LY2-I
History: ISL9V3040S3ST-F085C | NCE40TD60BP | SME6G30US60 | IXXH50N60B3 | MPBW30N120E | BG150B12UY3-I | BG150B12LY2-I
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018