Справочник IGBT. JT015N065SED

 

JT015N065SED - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: JT015N065SED
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 182 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 96.5 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 32.9 nC
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для JT015N065SED

 

 

JT015N065SED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1254K  jilin sino
 jt015n065fed jt015n065sed jt015n065ced.pdf

JT015N065SED JT015N065SED

N N-CHANNEL IGBT RJT015N065FED/SED/CED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15 A VCES 650V VCESAT-TY 1.6V VGE=15VAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS Motor Control FEATURES Low gate charge

 5.1. Size:300K  jilin sino
 jt015n065fed.pdf

JT015N065SED JT015N065SED

N N-CHANNEL IGBT RJT015N065FED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15 A VCES 650V Vcesat-typ 1.6V @Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology,

 8.1. Size:1240K  jilin sino
 jt015n120f7pd1e.pdf

JT015N065SED JT015N065SED

IGBT IGBT Modules RIGBT JT015N120F7PD1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15A 1200V V CESVcesat_typ1.8V Vge=15V APPLICATIONS Auxiliary inverter Motor Drives air conditioning FEATURES FS Technology

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top