JT015N065SED - аналоги и описание IGBT

 

JT015N065SED - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: JT015N065SED

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 182 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 96.5 pF

Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для JT015N065SED

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

JT015N065SED даташит

 ..1. Size:1254K  jilin sino
 jt015n065fed jt015n065sed jt015n065ced.pdf pdf_icon

JT015N065SED

 5.1. Size:300K  jilin sino
 jt015n065fed.pdf pdf_icon

JT015N065SED

N N-CHANNEL IGBT R JT015N065FED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15 A VCES 650V Vcesat-typ 1.6V @Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology,

 8.1. Size:1240K  jilin sino
 jt015n120f7pd1e.pdf pdf_icon

JT015N065SED

IGBT IGBT Modules R IGBT JT015N120F7PD1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15A 1200V V CES Vcesat_typ 1.8V Vge=15V APPLICATIONS Auxiliary inverter Motor Drives air conditioning FEATURES FS Technology

Другие IGBT... ATT040N120EQ , ATT050K065FQC , ATT060U060EQ , ATT075N065EQ , JT010N065SED , JT010N065CED , JT010N065FED , JT010N065WED , GT30F126 , JT015N065CED , JT015N120F7PD1E , JT020N065SED , JT020N065CED , JT020N065WED , JT020N065FED , JT020N135WED , JT030N065AED .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.