JT015N065CED - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: JT015N065CED
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 182 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 96.5 pF
Тип корпуса: TO-220C
Аналог (замена) для JT015N065CED
JT015N065CED Datasheet (PDF)
jt015n065fed jt015n065sed jt015n065ced.pdf
N N-CHANNEL IGBT RJT015N065FED/SED/CED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15 A VCES 650V VCESAT-TY 1.6V VGE=15VAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS Motor Control FEATURES Low gate charge
jt015n065fed.pdf
N N-CHANNEL IGBT RJT015N065FED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15 A VCES 650V Vcesat-typ 1.6V @Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology,
jt015n120f7pd1e.pdf
IGBT IGBT Modules RIGBT JT015N120F7PD1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15A 1200V V CESVcesat_typ1.8V Vge=15V APPLICATIONS Auxiliary inverter Motor Drives air conditioning FEATURES FS Technology
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2