JT015N065CED - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: JT015N065CED
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 182 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 96.5 pF
Тип корпуса: TO-220C
Аналог (замена) для JT015N065CED
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
JT015N065CED даташит
jt015n065fed.pdf
N N-CHANNEL IGBT R JT015N065FED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15 A VCES 650V Vcesat-typ 1.6V @Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology,
jt015n120f7pd1e.pdf
IGBT IGBT Modules R IGBT JT015N120F7PD1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15A 1200V V CES Vcesat_typ 1.8V Vge=15V APPLICATIONS Auxiliary inverter Motor Drives air conditioning FEATURES FS Technology
Другие IGBT... ATT050K065FQC , ATT060U060EQ , ATT075N065EQ , JT010N065SED , JT010N065CED , JT010N065FED , JT010N065WED , JT015N065SED , IHW20N120R3 , JT015N120F7PD1E , JT020N065SED , JT020N065CED , JT020N065WED , JT020N065FED , JT020N135WED , JT030N065AED , JT030N065F6MD1E .
History: STGD10HF60KD
History: STGD10HF60KD
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220



