Справочник IGBT. JT020N065SED

 

JT020N065SED Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: JT020N065SED
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 56 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 128 pF
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

JT020N065SED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2704K  jilin sino
 jt020n065sed jt020n065ced jt020n065wed jt020n065fed.pdf pdf_icon

JT020N065SED

N N-CHANNEL IGBT RJT020N065SED/CED/WED/FED MAIN CHARACTERISTICS Package I 20 A CBV 650V CESVCESAT-typ 1.6V V =15V GEAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS TO-263 FEATURES TO-220C Low gate charge Trenc

 8.1. Size:978K  jilin sino
 jt020n135wed.pdf pdf_icon

JT020N065SED

N N-CHANNEL IGBT R JT020N135WED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 20 A VCES 1350V VCESAT-TYPVGE=15V 1.7V APPLICATIONS IH Induction heating(IH) Inverterized microwave ovens Soft switching applications FEATURES

Другие IGBT... ATT075N065EQ , JT010N065SED , JT010N065CED , JT010N065FED , JT010N065WED , JT015N065SED , JT015N065CED , JT015N120F7PD1E , IKW75N60T , JT020N065CED , JT020N065WED , JT020N065FED , JT020N135WED , JT030N065AED , JT030N065F6MD1E , JT030N065F7PD1E , JT030N065WED .

History: NCE50EU65UT | STGFW30H65FB | GT60M102 | SGTP40V120FDB2P7 | DIM250PLM33-TL | BLG60T65FDK-K | IRGS4640D

 

 
Back to Top

 


 
.